[发明专利]金属焊点表面的刻蚀方法在审
| 申请号： | 201710887932.6 | 申请日： | 2017-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN109559995A | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 张涛杰 | 申请（专利权）人： | 东莞新科技术研究开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属焊点 刻蚀 凹凸部 离子束 附着力 焊料 光刻保护层 调整处理 焊点表面 焊接性能 横向距离 刻蚀气体 粗糙度 高度差 预清洗 低点 返工 | ||
1.一种金属焊点表面的刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)在金属焊点表面上形成光刻保护层；
(2)将该金属焊点表面进行预清洗；
(3)将该金属焊点表面置于处理室并调整处理室的真空度；
(4)向处理室通入刻蚀气体并形成离子束，所述离子束在金属焊点表面上形成凹凸部，所述凹凸部的高点和低点的纵向高度差为30-50A，横向距离为0.2-3μm。
2.如权利要求1所述的金属焊点表面的刻蚀方法，其特征在于：所述步骤(4)中，所述离子束的流动速度为10-30sccm，离子束能量为300-500eV，离子束电流为250-350mA，离子束入射角为50-70度，蚀刻时间为60-100秒。
3.如权利要求1所述的金属焊点表面的刻蚀方法，其特征在于：所述步骤(4)中，所述刻蚀气体为惰性气体与碳氢化合物气体的混合气体。
4.如权利要求3所述的金属焊点表面的刻蚀方法，其特征在于：所述惰性气体选自氩气、氖气、氪气、氙气中的一种或多种。
5.如权利要求3所述的金属焊点表面的刻蚀方法，其特征在于：所述碳氢化合物气体选自甲烷、乙烯、乙炔或苯中的一种或多种。
6.如权利要求3所述的金属焊点表面的刻蚀方法，其特征在于：所述惰性气体和所述碳氢化合物气体的比例为3:1-6:1。
7.如权利要求1所述的金属焊点表面的刻蚀方法，其特征在于：所述步骤(1)中采用化学气相沉积法、离子束沉积法或滤波阴极电弧法形成所述光刻保护层，所述光刻胶保护层的厚度为1-20μm。
8.如权利要求1所述的金属焊点表面的刻蚀方法，其特征在于：所述步骤(2)中通过通入惰性气体而清除金属焊点表面的污染物。
9.如权利要求1所述的金属焊点表面的刻蚀方法，其特征在于：所述步骤(3)中为所述处理室的真空度为1.0-2.5Pa。
10.如权利要求1所述的金属焊点表面的刻蚀方法，其特征在于：所述金属焊点表面为金焊点表面。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
