[发明专利]结构物

说明书

本发明所要解决的技术课题在于提供可提高耐等离子体性的结构物。具体而言，在于提供如下结构物：以具有斜方晶的结晶结构的钇氧氟化物的多晶体为主成分，且所述多晶体中的平均结晶尺寸小于100nm，其特征在于，通过X射线衍射在衍射角2θ＝32.0°附近检测到的峰值强度为γ，在衍射角2θ＝32.8°附近检测到的峰值强度为δ时，峰值强度比γ/δ为0％以上、150％以下。

技术领域

本发明的方式通常涉及结构物。

背景技术

作为在半导体制造装置等的等离子体照射环境下所使用的构件，可使用在其表面形成了耐等离子体性高的膜的构件。在膜上例如可使用氧化铝(Al₂O₃)、氧化钇(Y₂O₃)等的氧化物或者氮化铝(AlN)等的氮化物。

另一方面，在氧化物类陶瓷中伴随着与CF类气体的反应而引起的氟化，膜的体积膨胀并产生裂缝等，其结果引起颗粒的产生，对此提出了使用原本就被氟化的氟化钇(YF₃)等的氟化物类陶瓷(专利文献1)。另外，还提出了由包含钇的氧氟化物、YF₃的颗粒构成的熔射材料、YF₃基料的耐等离子体涂层(专利文献2、3)。

由于YF₃在例如1000℃～1100℃左右的高温下分解，故而制作其烧成体时的烧成温度例如可至800℃左右(专利文献4)。然而，烧成温度低时，充分提高密度存在困难。另外，烧成时产生的氟气有毒，也存在安全性的问题。因此，可通过熔射等方法来制作YF₃的结构物。然而，在熔射中充分致密地制作包含YF₃的结构物存在困难，从而存在耐等离子体性差这样的课题。

另外，还进行了可期待对于CF类等离子体及Cl类等离子体的两者均有耐性的使用稀土类氧氟化物的研究。

例如，研究了将包含钇的氧氟化物的烧成体在真空、氮气气氛等非活性气氛下烧成(专利文献5、6)。在该方法中，通过在非活性气氛下的烧成可抑制在所得到的烧成体中混入氧化钇(Y₂O₃)。然而，在烧成体中由于伴随着烧结而粒子成长，从而结晶构成粒子变大，故而存在颗粒易于变大这样的课题。

另外，例如还研究了以稀土类元素的氧氟化物作为原料来形成熔射膜(专利文献7)。然而，在熔射中加热时因大气中的氧气而发生氧化。因此，在所得到的熔射膜中混入Y₂O₃，从而组成的控制存在困难。另外，在熔射膜中依然存在致密性的课题。

另一方面，在专利文献8中公开了关于Y₂O₃可通过气溶胶沉积法在常温下形成耐等离子体性的结构物。气溶胶沉积法等通过机械冲击进行的结构物的形成法可在常温下制膜。因此，在气溶胶沉积法中，不用担心氟化物的热分解，不会受到有毒的氟气的影响，可安全地制作含有包含钇与氟的化合物的结构物。

专利文献1：日本特开2013-140950号公报

专利文献2：日本特开2014-009361号公报

专利文献3：日本特开2016-076711号公报

专利文献4：日本特开2003-146755号公报

专利文献5：日本专利第4160224号公报

专利文献6：日本专利第5911036号公报

专利文献7：日本专利第5927656号公报

发明内容

在包含钇的氧氟化物、氟化钇的结构物中有时会在耐等离子体性上产生偏差。

本发明基于相关课题的认知而进行，所要解决的技术课题在于提供可提高耐等离子体性的结构物。