[发明专利]感测放大器电路

权利要求书

1.一种感测放大器电路，其特征在于，包括：

第一电流路径和第二电流路径；

第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管被配置为在存储器读取操作的第一阶段的至少稍后部分期间以及在存储器读取操作的第二阶段的至少初始部分期间用于第一电流路径的电流源，并且所述第二晶体管被配置为在存储器读取操作的第一阶段的至少稍后部分期间以及在存储器读取操作的第二阶段的至少初始部分期间用于第二电流路径的电流源；

第三晶体管，其位于所述第一电流路径中；

第四晶体管，其位于所述第二电流路径中；

电容器，其具有耦接到所述第三晶体管的控制端的第一电极和耦接到所述第四晶体管的控制端的第二电极；

其中在存储器读取操作的第一阶段中，所述第一电极经由处于闭合位置的第五开关耦接到所述第一电流路径的第一节点，在存储器读取操作的第二阶段中，所述第五开关是断开的；并且在存储器读取操作的第一阶段中，所述第二电极经由处于闭合位置的第六开关耦接到所述第二电流路径的第二节点，在存储器读取操作的第一阶段和第二阶段中，所述第六开关均是闭合的；

其中在存储器读取操作的第二阶段中，所述第一电极耦接到所述第三晶体管的控制端并且所述第二电极耦接到所述第二电流路径的所述节点；

其中在存储器读取操作的第一阶段中，所述第一电流路径经由处于闭合位置的第一开关耦接到第一单元并且所述第二电流路径经由处于闭合位置的第二开关耦接到第二单元，在存储器读取操作的第一阶段中，第三开关和第四开关是断开的，其中在存储器读取操作的第二阶段中，所述第一电流路径经由处于闭合位置的所述第三开关耦接到所述第二单元并且所述第二电流路径经由处于闭合位置的所述第四开关耦接到所述第一单元，在存储器读取操作的第二阶段中，所述第一开关和所述第二开关是断开的。

2.根据权利要求1所述的感测放大器电路，其特征在于，所述第三晶体管和所述第四晶体管各自被表征为N沟道晶体管。

3.根据权利要求1所述的感测放大器电路，其特征在于，所述第一晶体管和所述第二晶体管各自被表征为P沟道晶体管。

4.根据权利要求1所述的感测放大器电路，其特征在于，所述第一电流路径的所述节点位于所述第一晶体管与所述第三晶体管之间并且所述第二电流路径的所述节点位于所述第二晶体管与所述第四晶体管之间。

5.根据权利要求1所述的感测放大器电路，其特征在于，进一步包括：

第二电容器，其具有耦接到所述第一晶体管的所述控制端和所述第二晶体管的所述控制端的第一电极，其中在存储器读取操作的第二阶段中，所述第二电容器上的电压使所述第一晶体管的控制端发生偏置以控制通过所述第一电流路径的电流的量并且使所述第二晶体管的控制端发生偏置以控制通过所述第二电流路径的电流的量。

6.一种存储器电路，其特征在于，包括根据权利要求1所述的感测放大器电路并且其进一步包括：

存储器单元的阵列，所述感测放大器电路可耦接到所述阵列以确定所述阵列的至少一个存储器单元的集合的存储器单元的存储状态。

7.一种经由第一电流路径和第二电流路径读取存储器单元的方法，其特征在于，包括：

执行存储器读取操作的第一阶段，在所述第一阶段中，电容器的第一电极经由处于闭合位置的第五开关耦接到第一电流路径的第一节点，在存储器读取操作的第二阶段中，所述第五开关是断开的；并且在存储器读取操作的第一阶段中，所述电容器的第二电极经由处于闭合位置的第六开关耦接到第二电流路径的第二节点，在存储器计取操作的第一阶段和第二阶段中，所述第六开关均是闭合的；在所述第一阶段中，所述电容器对所述第一节点与所述第二节点之间的电压差进行采样，所述第一电流路径包括被配置为用于所述第一阶段的至少稍后部分的电流源的第一晶体管，所述第二电流路径包括被配置为用于所述第一阶段的至少稍后部分的电流源的第二晶体管，所述第一电流路径包括第三晶体管，所述第二电流路径包括第四晶体管，所述第一节点位于所述第一晶体管与所述第三晶体管之间的所述第一电流路径中，所述第二节点位于所述第二晶体管与所述第四晶体管之间的所述第二电流路径中，在所述第一阶段中，所述第一电流路径经由处于闭合位置的第一开关耦接到第一单元并且所述第二电流路径经由处于闭合位置的第二开关耦接到第二单元，在所述第一阶段中，第三开关和第四开关是断开的，所述电容器的所述第一电极耦接到所述第三晶体管的控制端，所述第二电极耦接到所述第四晶体管的控制端；

执行所述存储器读取操作的所述第二阶段，在所述第二阶段中，所述第一电极耦接到所述第三晶体管的控制端并且所述第二电极耦接到所述第二节点，在所述第二阶段中，所述第二电极耦接到所述第四晶体管的控制端，在所述第二阶段中，所述第一电流路径经由处于闭合位置的所述第三开关耦接到所述第二单元并且所述第二电流路径经由处于闭合位置的所述第四开关耦接到所述第一单元，在所述第二阶段中，所述第一开关和所述第二开关是断开的，所述第一晶体管被配置为用于所述第二阶段的至少初始部分的电流源，所述第二晶体管被配置为用于所述第二阶段的至少初始部分的电流源。