[发明专利]感测放大器电路

说明书

在一个实施例中，感测放大器电路包括两个电流路径。每个路径包括在存储器读取操作期间被配置为电流源的晶体管和第二晶体管。在存储器读取操作的第一阶段中，第一电流路径耦接到一个单元，并且第二电流路径耦接到第二单元。感测放大器电路包括电容器，所述电容器在存储器读取操作的第一阶段中耦接在两个路径的两个对应的节点之间以存储两个节点之间的电压差。在第二阶段中，单元/电流路径耦接交换并且电容器耦接到第二晶体管中的一个晶体管的控制端以控制晶体管的导电性，用于调整输出节点的电压以指示待所读取数据的值。

技术领域

本发明大体上涉及存储器电路，并且更具体地说涉及用于存储器电路的感测放大器电路。

背景技术

一些存储器电路使用感测放大器电路读取存储器电路的存储器单元的存储状态。一些感测放大器电路包括参考路径和感测路径，该参考路径包括参考单元，该感测路径耦接到在读取操作期间被读取的单元。在一些例子中，将参考路径的电流与感测路径的电流成镜像，并且将参考路径的电流与感测路径的电流进行比较以用于确定被读取的存储器单元的存储状态。

发明内容

根据本发明的第一方面，提供一种感测放大器电路，包括：

第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管被配置为在存储器读取操作的第一阶段的至少稍后部分期间以及在存储器读取操作的第二阶段的至少初始部分期间用于第一电流路径的电流源，并且所述第二晶体管被配置为在存储器读取操作的第一阶段的至少稍后部分期间以及在存储器读取操作的第二阶段的至少初始部分期间用于第二电流路径的电流源；

第三晶体管，其位于所述第一电流路径中；

第四晶体管，其位于所述第二电流路径中；

电容器，其具有第一电极和第二电极，在存储器读取操作的第一阶段中，所述第一电极耦接到所述第一电流路径的节点并且所述第二电极耦接到所述第二电流路径的节点，其中在存储器读取操作的第二阶段中，所述第一电极耦接到所述第三晶体管的控制端并且所述第二电极耦接到所述第二电流路径的所述节点；

其中在存储器读取操作的第一阶段中，所述第一电流路径经由处于闭合位置的第一开关耦接到第一单元并且所述第二电流路径经由处于闭合位置的第二开关耦接到第二单元，在存储器读取操作的第一阶段中，第三开关和第四开关是断开的，其中在存储器读取操作的第二阶段中，所述第一电流路径经由处于闭合位置的所述第三开关耦接到所述第二单元并且所述第二电流路径经由处于闭合位置的所述第四开关耦接到所述第一单元，在存储器读取操作的第二阶段中，所述第一开关和所述第二开关是断开的。

在一个或多个实施例中，所述第三晶体管和所述第四晶体管各自被表征为N沟道晶体管。

在一个或多个实施例中，所述第一晶体管和所述第二晶体管各自被表征为P沟道晶体管。

在一个或多个实施例中，在存储器读取操作的第一阶段中，所述第一电极耦接到所述第三晶体管的控制端并且所述第二电极耦接到所述第四晶体管的控制端。

在一个或多个实施例中，所述第一电流路径的所述节点位于所述第一晶体管与所述第三晶体管之间并且所述第二电流路径的所述节点位于所述第二晶体管与所述第四晶体管之间。

在一个或多个实施例中，在存储器读取操作的第二阶段中，所述第二电极耦接到所述第四晶体管的所述控制端。

在一个或多个实施例中，在存储器读取操作的第一阶段中，所述第一电极经由处于闭合位置的第五开关耦接到所述第三晶体管的第一电流端，其中在存储器读取操作的第二阶段中，所述第一开关是断开的。

在一个或多个实施例中，在存储器读取操作的第一阶段中并且在存储器读取操作的第二阶段中，所述第二电极耦接到所述控制端和所述第四晶体管的第一电流端。