[发明专利]半导体装置

说明书

抑制键合导线的波动，抑制由多个晶体管单元的不均等动作产生的特性的劣化和振荡。在电路基板(P1)处，包含并联电容(C21至C24)的多个电路图案(11至14)的输出与多个第1输出焊盘(PD21至PD24)通过多个第1微带线路(L11至L14)分别连接。电路基板(P1)的多个第1输出焊盘(PD21至PD24)经由多个第2导线(W21至W24)分别与半导体基板(2)的多个晶体管单元(Tr1至Tr4)的输入连接。多个晶体管单元(Tr1至Tr4)的叉指数量彼此相同。与排成一列的多个电路图案(11至14)中配置于两端的电路图案(11、14)连接的第1微带线路(L11、L14)比其他的第1微带线路(L12、L13)长。

技术领域

本发明涉及能够抑制由多个晶体管单元的不均等动作产生的特性的劣化和振荡的半导体装置。

背景技术

对于在无线通信等中使用的功率放大器，作为将FET芯片与匹配电路基板连接的手段而广泛使用键合导线。通常，在匹配电路基板之上配置由微带线路构成的匹配电路，为了确保大电流容量而将多根键合导线尽可能短且并联地连接。

在L频带或S频带等频率比较低的情况下，阻抗匹配所需的微带线路的长度变长。因此，导致功率放大器的大型化、成本的增加。因此，经常使用由集总元件构成的电路。特别地，通过利用键合导线具有的电感成分进行阻抗转换，从而实现电路的小型化和低成本化。

如果使多个键合导线靠近地并联配置多个，则不能忽略键合导线间的互感。并且，已知该互感随着靠近两端而变小。导线具有的电感由自感和互感的和给出。自感随着导线长度变长而变大。因此，如果使将FET芯片与匹配电路基板连接的键合导线的长度全部相同，则由于互感的不同，根据FET的位置而产生负载阻抗的不同。负载阻抗的不同是产生不平衡动作，产生饱和输出功率、增益、效率的下降乃至振荡的原因。

对于这样的问题，提出了通过改变键合导线的长度、高度、根数、粗细而调整键合导线的电感的方法(例如，参照专利文献1、3)。另外，存在下述报告，即，即使是将λ/4线路配置为竞赛树型的匹配电路，也在相邻的λ/4线路间产生上述的互感的不同。对于该问题，提出了调整线路的长度的方法(例如，参照专利文献1、2)。

专利文献1：日本特开2010-161348号公报

专利文献2：日本特开2008-022235号公报

专利文献3：日本特开平11-238851号公报

然而，在改变键合导线的长度的现有方法中，为了补偿两端的键合导线的小的电感，需要将两端的键合导线设定得长或高。通常，高环(high-looped)的键合导线的波动变大。另外，在改变导线的根数或粗细的情况下，电感的值离散化，因此难以进行最优化。

另外，微波功率放大器所使用的晶体管的输入阻抗通常比50Ω低，因此将为了阻抗转换而设置的λ/4线路的特性阻抗也设定为比50Ω低。然而，如果线路的特性阻抗不充分高，则不能充分地改善导线的互阻抗的不同。因此，在调整λ/4线路长度的现有方法中，能够改善相位的不均等，但不能改善反射系数的不均等，因此对FET的不均等动作的抑制是不充分的。

发明内容

本发明就是为了解决上述课题而提出的，其目的在于得到一种半导体装置，该半导体装置不改变键合导线的形状，而是将多个晶体管单元的负载阻抗均等化，从而能够抑制键合导线的波动，抑制由多个晶体管单元的不均等动作产生的特性的劣化和振荡。