[发明专利]切割/芯片接合带和半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201710890573.X | 申请日： | 2017-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN107871702B | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | 木村雄大;高本尚英;大西谦司;宍户雄一郎 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 切割 芯片 接合 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种切割/芯片接合带，其包括：
隔膜、和
包含粘接剂层和基材层的薄膜，
所述粘接剂层位于所述隔膜和所述基材层之间，
在所述薄膜的晶圆固定区域中，所述粘接剂层和所述基材层在23℃、剥离速度300mm/分钟下的90度剥离力为0.02N/20mm～0.5N/20mm，
在所述晶圆固定区域中，所述粘接剂层和所述基材层在-15℃、剥离速度300mm/分钟下的90度剥离力为0.1N/20mm以上，
所述基材层的两面用与所述粘接剂层接触的第1主面和第2主面来定义，
在所述晶圆固定区域中所述基材层的所述第1主面的表面自由能为32～39mN/m，
所述粘接剂层的两面用与所述隔膜接触的第1主面和与所述基材层接触的第2主面来定义，
在所述晶圆固定区域中所述粘接剂层的所述第2主面的表面自由能为34～50mN/m。
2.根据权利要求1所述的切割/芯片接合带，其中，
将所述晶圆固定区域中所述粘接剂层的所述第2主面的表面自由能设为E2、
将所述晶圆固定区域中所述基材层的所述第1主面的表面自由能设为E1时，
E2与E1之差为15mN/m以下。
3.根据权利要求1或2所述的切割/芯片接合带，其中，所述粘接剂层在23℃下的储能模量为10GPa以下。
4.一种半导体装置的制造方法，其包括如下工序：
从权利要求1～3中任一项所述的切割/芯片接合带上去除所述隔膜，将半导体晶圆固定于所述薄膜的所述粘接剂层的工序；
对所述薄膜施加拉伸应力，形成带有分断后粘接剂层的半导体芯片的工序。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
