[发明专利]切割/芯片接合带和半导体装置的制造方法

说明书

本发明为切割/芯片接合带和半导体装置的制造方法，其目的在于提供能够精度良好地分断粘接剂层的切割/芯片接合带。本发明涉及一种切割/芯片接合带，其包括：隔膜、和包含粘接剂层和基材层的薄膜。粘接剂层位于隔膜和基材层之间。基材层的两面用与粘接剂层接触的第1主面和第2主面来定义。在薄膜的晶圆固定区域中，粘接剂层和基材层在23℃下的90度剥离力为0.02N/20mm～0.5N/20mm。在晶圆固定区域中，粘接剂层和基材层在‑15℃下的90度剥离力为0.1N/20mm以上。在晶圆固定区域中基材层的第1主面的表面自由能为32～39mN/m。

技术领域

本发明涉及一种切割/芯片接合带和半导体装置的制造方法。

背景技术

有如下方法：对半导体晶圆的分割预定线照射激光，使半导体晶圆断裂，得到单个的半导体芯片的方法(以下有时称为“隐形切割(Stealth Dicing；注册商标)”。)；通过在半导体晶圆的表面(外表面)形成槽后进行半导体晶圆的背面磨削，从而形成单个的半导体芯片的方法(以下称为“DBG(先切割后磨削：Dicing Before Grinding)法”。)。

隐形切割、DBG法中，在其过程中有时使用切割/芯片接合带。对于切割/芯片接合带而言，有如下结构：具有基材层、粘接剂层和隔膜，粘接剂层位于基材层和隔膜之间。也有具有基材层、粘合剂层、粘接剂层和隔膜的切割/芯片接合带。与后者的切割/芯片接合带相比，前者的切割/芯片接合带可以廉价地制造。

隐形切割、DBG法中，有时在低温下对粘接剂层进行分断。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2004-250572号公报

专利文献2：日本特许第5305501号

发明内容

发明要解决的问题

本发明的目的在于提供能够精度良好地分断粘接剂层的切割/芯片接合带。本发明的目的在于提供能够精度良好地分断粘接剂层的、半导体装置的制造方法。

用于解决问题的方案

本发明涉及一种切割/芯片接合带，其包括：隔膜、和包含粘接剂层和基材层的薄膜。粘接剂层位于隔膜和基材层之间。基材层的两面用与粘接剂层接触的第1主面和第2主面来定义。在薄膜的晶圆固定区域中，粘接剂层和基材层在23℃下的90度剥离力为0.02N/20mm～0.5N/20mm。在晶圆固定区域中，粘接剂层和基材层在-15℃下的90度剥离力为0.1N/20mm以上。在晶圆固定区域中基材层的第1主面的表面自由能为32～39mN/m。

由于粘接剂层和基材层在23℃下的90度剥离力为0.02N/20mm以上，因此在从半导体晶圆的固定起至半导体芯片的拾取为止的过程中，半导体晶圆·半导体芯片不易从粘接剂层上剥离。粘接剂层和基材层在-15℃下的90度剥离力为0.1N/20mm以上，因此能够精度良好地分断粘接剂层。可认为其原因在于力有效地传递至粘接剂层。由于在23℃下的90度剥离力为0.5N/20mm以下，因此在分断半导体晶圆后，能够容易地剥离带粘接剂层的半导体芯片。由于基材层的第1主面的表面自由能E₁为32mN/m以上，因此基材层对粘接剂层显示出良好的润湿性。

本发明涉及一种半导体装置的制造方法，其包括如下工序：从切割/芯片接合带上去除隔膜，将半导体晶圆固定于薄膜的粘接剂层的工序；对薄膜施加拉伸应力，形成带有分断后粘接剂层的半导体芯片的工序。

附图说明

图1是实施方式1的切割/芯片接合带的俯视示意图。

图2是实施方式1的切割/芯片接合带的一部分的截面示意图。