[发明专利]成膜装置有效
申请号: | 201710891266.3 | 申请日: | 2017-09-27 |
公开(公告)号: | CN107893211B | 公开(公告)日: | 2019-11-19 |
发明(设计)人: | 久保纯也;今村聪;小川庆 | 申请(专利权)人: | 株式会社爱发科 |
主分类号: | C23C14/24 | 分类号: | C23C14/24;C23C14/54 |
代理公司: | 11444 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龚敏;王刚<国际申请>=<国际公布>=< |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 装置 | ||
本申请提供一种能够使俯视时的遮蔽板的面积连续地变化,并抑制大型化的成膜装置。为达成上述目的,本发明的一个方面的成膜装置具备真空槽、成膜源、支撑架以及第一遮蔽机构。所述成膜源设置在所述真空槽内。所述支撑架设置在所述真空槽内。所述支撑架与所述成膜源相对,并能支撑工件。所述支撑架能够围绕第一轴旋转。所述第一遮蔽机构以能够围绕与所述第一轴交叉的第二轴旋转的方式设置在所述成膜源和所述支撑架之间。所述第一遮蔽机构包括从所述第一轴方向观察时在第一旋转位置具有第一面积、在第二旋转位置具有与所述第一面积不同的第二面积的第一遮蔽板。
技术领域
本发明涉及成膜装置。
背景技术
成膜装置中,存在如下成膜装置,在基板架支撑多个基板,为了抑制基板架的旋转方向上基板间的膜厚的偏差,一边旋转基板架,一边进行成膜。另外,这种成膜装置中,存在如下成膜装置,使多个蒸镀源与基板架相对,按照多个蒸镀源来容纳不同的材料,使从多个蒸镀源中选择出的一个材料朝着支撑架蒸发来进行成膜。
但是,基板架的直径方向上的膜厚遵循所谓的余弦定律,并且存在根据蒸镀源与基板架的距离而发生偏差的情况。为了抑制该偏差,存在一种在蒸镀源与基板架之间设置用于使膜厚分布均匀的遮蔽板的成膜装置。但是,根据蒸发的材料,余弦定律的系数(cosnθ)的n值不同。由此,存在在蒸镀源与基板架之间即使设置相同的遮蔽板也无法改善基板架的直径方向上的膜厚的偏差的情况。
对此,提供了如下的成膜装置:切换开口形状不同的多个遮蔽板,并使得能够将从这些遮蔽板中选择出的一个遮蔽板设置在蒸镀源与基板架之间(例如,参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2004-043880号公报
发明内容
发明所要解决的课题
但是,上述成膜装置中,开口的形状在各遮蔽板上是固定的,从基板架侧观察遮蔽板时(俯视)遮蔽板的面积不会连续地变化。由此,基板架的直径方向上的膜厚的偏差能够得到抑制的材料选择的自由度受到限制。另外,当在成膜装置内容纳多个遮蔽板时,成膜装置内需要有容纳遮蔽板的容纳室,从而成膜装置变得大型化。
鉴于以上情况,本发明的目的是提供一种成膜装置,其进一步提高在基板架的直径方向上的膜厚的偏差得到抑制的材料的选择自由度,并抑制装置大型化。
用于解决课题的方案
为达成上述目的,涉及本发明的一个方面的成膜装置具备真空槽、成膜源、支撑架、以及第一遮蔽机构。
所述成膜源设置在所述真空槽内。所述支撑架设置在所述真空槽内。所述支撑架与所述成膜源相对并且能够支撑工件。所述支撑架能够围绕第一轴旋转。
所述第一遮蔽机构以能够围绕与所述第一轴交叉的第二轴旋转的方式设置在所述成膜源和所述支撑架之间。所述第一遮蔽机构包括第一遮蔽板,从所述第一轴方向观察时,所述第一遮蔽板在第一旋转位置具有第一面积,所述第一遮蔽板在第二旋转位置具有与所述第一面积不同的第二面积。
由此,第一遮蔽板的遮蔽面积连续变化,进一步提高在支撑架的直径方向上的膜厚的偏差得到抑制的材料的选择自由度。进而,抑制成膜装置大型化。
在上述成膜装置,所述第一遮蔽板也可以具有宽度沿所述第二轴变化的平面形状。
由此,通过具有宽度沿所述第二轴变化的平面形状的第一遮蔽板的旋转,第一遮蔽板的遮蔽面积连续地变化。
在上述成膜装置,所述第一遮蔽机构还可以具有以能够围绕所述第二轴旋转的方式设置的第二遮蔽板。所述第二遮蔽板也可以以相对于所述第一遮蔽板交叉的方式配置。所述第二遮蔽板的形状也可以与所述第一遮蔽板的形状不同。
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