[发明专利]半导体模块有效
| 申请号： | 201710891485.1 | 申请日： | 2017-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN107871733B | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 中原贤太 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 模块 | ||
1.一种半导体模块，其中，
具有：
多个金属板，它们在水平方向延伸，在垂直方向层叠；
至少1个开关元件；以及
至少1个电路元件，
所述至少1个开关元件接合于在垂直方向相对的2个所述金属板之间，
所述至少1个电路元件接合于在垂直方向相对的2个所述金属板之间，
在所述多个金属板之间配置有绝缘性材料，
至少1个所述金属板与所述开关元件、所述电路元件这两者接合，
在相对的2个所述金属板之间作为所述绝缘性材料配置绝缘基板，
所述至少1个电路元件贯穿所述绝缘基板而接合于在垂直方向相对的2个所述金属板之间。
2.根据权利要求1所述的半导体模块，其中，
所述至少1个电路元件是多个，
串联连接的多个所述电路元件接合于在垂直方向相对的2个所述金属板之间。
3.一种半导体模块，其中，
具有：
多个金属板，它们在水平方向延伸，在垂直方向层叠；
至少1个开关元件；以及
至少1个电路元件，
所述至少1个开关元件接合于在垂直方向相对的2个所述金属板之间，
所述至少1个电路元件接合于在垂直方向相对的2个所述金属板之间，
在所述多个金属板之间配置有绝缘性材料，
至少1个所述金属板与所述开关元件、所述电路元件这两者接合，
所述至少1个电路元件是多个，
在多个所述金属板中的在垂直方向相对的2个所述金属板之间，作为所述绝缘性材料配置绝缘基板，
多个所述电路元件中的所述至少1个电路元件贯穿所述绝缘基板而接合于相对的2个所述金属板之间，
在多个所述金属板中的在垂直方向相对的2个所述金属板之间，作为所述绝缘性材料配置绝缘性树脂，
多个所述电路元件中的所述至少1个电路元件接合于相对的2个所述金属板之间，被所述绝缘性树脂封装。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体模块，其中，
所述至少1个开关元件在两面具有电极，
所述至少1个开关元件的两面的所述电极通过导电性接合材料而分别面接合至在垂直方向相对的2个所述金属板，
所述至少1个电路元件在两端具有电极，
所述至少1个电路元件的两端的所述电极通过导电性接合材料而分别面接合至在垂直方向相对的2个所述金属板。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体模块，其中，
还具有缓冲电路，该缓冲电路抑制伴随所述开关元件的通断而产生的浪涌电压，
所述缓冲电路包含所述多个金属板的一部分及所述至少1个电路元件。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体模块，其中，
所述至少1个电路元件包含无源元件，
所述无源元件是电容器或电阻元件。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体模块，其中，
所述金属板的厚度大于或等于0.25mm。
8.根据权利要求1或3所述的半导体模块，其中，
所述绝缘基板含有陶瓷材料，
所述绝缘基板的厚度大于或等于0.32mm。
9.根据权利要求3所述的半导体模块，其中，
所述绝缘性树脂的厚度大于或等于0.1mm。
10.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体模块，其中，
所述至少1个开关元件是IGBT。
11.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体模块，其中，
所述至少1个开关元件是MOSFET。
12.根据权利要求10所述的半导体模块，其中，
所述至少1个开关元件含有碳化硅。
13.根据权利要求11所述的半导体模块，其中，
所述至少1个开关元件含有碳化硅。
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