[发明专利]片体集中处理设备在审
申请号: | 201710892028.4 | 申请日: | 2017-09-27 |
公开(公告)号: | CN107689403A | 公开(公告)日: | 2018-02-13 |
发明(设计)人: | 李文;沈庆丰;喻双喜;周浩;卓远;陈定川 | 申请(专利权)人: | 无锡奥特维科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京路胜元知识产权代理事务所(特殊普通合伙)11669 | 代理人: | 路兆强,潘冰 |
地址: | 214028 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集中 处理 设备 | ||
技术领域
本发明总体而言涉及电池自动化生产线,具体而言,涉及一种片体集中处理设备。
背景技术
目前,电池的需求量越来越大,而在电池生产过程中,需要对硅片或电池片等进行规整、检测和切割等工艺过程。但是,现有的硅片和电池片的规整、检测和切割等工艺都是单独进行,影响电池生产的自动化率,而且大大降低了电池生产的效率。另外,采用部分人工介入的工艺过程,不但大大降低了生产效率,而且还会导致安全问题和工作强度问题,并且随着人工成本的提高,客观上又抬升了电池生产的整体成本。
因此,如何提高硅片和电池片等的规整、检测和切割的集成化和自动化水平,从而提高电池生产效率、降低人工成本并且避免出现安全问题,是业界急需解决的问题。
发明内容
本发明的一个主要目的在于克服上述现有技术的至少一种缺陷,提供一种集成化、自动化水平非常高的片体集中处理设备。
为实现上述发明目的,本发明采用如下技术方案:
一种片体集中处理设备,所述片体集中处理设备包括:
第一装置,所述第一装置用于对片体进行检测;
第二装置,所述第二装置用于对所述第一装置检测合格后的片体进行切割;
第三装置,所述第三装置用于将所述第二装置切割后的片体移出。
根据本发明的一实施方式,所述片体集中处理设备还包括第四装置,所述第四装置用于对片体进行规整;
所述第一装置用于对所述第四装置规整后的片体进行检测。
根据本发明的一实施方式,所述片体集中处理设备还包括转台和搬运装置,所述第四装置、所述第一装置、所述第二装置和所述第三装置依次环绕所述转台设置,所述搬运装置用于在所述第四装置、所述第一装置、所述第二装置和所述第三装置之间移动片体。
根据本发明的一实施方式,所述搬运装置包括四个承载台,所述四个承载台分别处于第一位置、第二位置、第三位置和第四位置,所述四个位置与所述四个装置分别一一对应,所述转台带动四个所述承载台依次在所述四个位置间转动,每个承载台上设置有吸盘,所述吸盘用于将片体吸附在对应的承载台上。
根据本发明的一实施方式,所述第四装置包括规整平台、推动板和阻挡板,所述规整平台用于承载片体,所述推动板对应所述规整平台的第一方向设置,用于推动片体在所述规整平台上移动,所述阻挡板对应所述规整平台的第二方向设置,用于限制片体在所述规整平台上的移动位置,所述第二方向和所述第一方向相对。
根据本发明的一实施方式,所述规整平台连接有导柱和伸缩缸,所述伸缩缸驱动所述规整平台沿所述导柱上下伸缩,所述承载台上设置有穿孔,所述规整平台在规整片体时高出所述承载台,在完成规整后穿过所述穿孔低于所述承载台,使所述承载台上规整后的片体在重力和所述承载台上吸盘吸附力的作用下吸附于所述承载台上。
根据本发明的一实施方式,所述第一装置包括有上检测相机和下检测相机,所述上检测相机和所述下检测相机分别对应该处位置的所述承载台的上下设置。
根据本发明的一实施方式,所述下检测相机与所述承载台的第二位置之间还设置有防尘玻璃。
根据本发明的一实施方式,所述第二装置包括激光头,所述激光头用于对所述第一装置检测合格后的片体进行切割。
根据本发明的一实施方式,所述第三装置包括旋转下料机构,所述旋转下料机构将位于所述第四位置处承载台上的片体从所述片体集中处理设备移出。
由上述技术方案可知,本发明的片体集中处理设备的优点和积极效果在于:
本发明中,将第一装置、第二装置和第三装置集中设置,并且自动完成对片体的检测和切割,使得片体的检测和切割集成化、自动化水平大大提高。
附图说明
通过结合附图考虑以下对本发明的优选实施例的详细说明,本发明的各种目标、特征和优点将变得更加显而易见。附图仅为本发明的示范性图解,并非一定是按比例绘制。在附图中,同样的附图标记始终表示相同或类似的部件。其中:
图1是一示例性实施例中示出的本发明片体集中处理设备的结构示意图。
图2是一示例性实施例中示出的本发明片体集中处理设备中第四装置的结构示意图。
图3是一示例性实施例中示出的本发明片体集中处理设备中第一装置的结构示意图。
图4是一示例性实施例中示出的本发明片体集中处理设备中第二装置的结构示意图。
图5是一示例性实施例中示出的本发明片体集中处理设备中第三装置的结构示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的