[发明专利]一种用于12寸晶圆片的快速清洗槽

说明书

技术领域

本发明属于半导体制造技术领域，特别涉及一种用于12寸晶圆片的快速清洗槽。

背景技术

公开号为CN1567538A的专利文件，提到“在半导体制造过程中，晶圆的洁净度对制造的合格率有莫大的影响。有鉴于此，通常必须在每一道半导体工艺进行之前，以及工艺完成之后，另外再进行一道晶圆洗净的步骤，借以清除附着在晶圆上的材料微粒和化学残留物等。目前，在晶圆洗净的程序中，快速排水清洗法是相当常见的一种晶圆清洗方式。所谓快速排水清洗法是先将放在晶圆座(Wafer Stand)上的晶圆完全浸泡于快速排水清洗槽里的去离子水中，再快速地排除快速排水清洗槽中的去离子水，在此同时，对晶圆座上的晶圆喷洒去离子水，以冲洗晶圆。通常，在多槽式(Multi-bath)的湿式机台(Wet Bench)上，晶圆于每一化学液槽程序后，一般会紧接着快速排水清洗槽步骤，借以去除上一程序中，沾附于晶圆上的工艺微粒和化学残留物”。在上述环节中，快速排水清洗槽(Quick Dump Rinse Tank；QDR Tank)是一种关键设备。

如图1所示，是一种现有的快速清洗槽。实际清洗时，8寸晶圆片放置在晶圆片载具上，在晶圆片载具的下方设置有喷淋管和氮气管，水柱从喷淋管喷射出来，由于氮气管喷出的氮气的作用，在清洗槽内形成了纯水涡流气泡，在涡流气泡的作用下，晶圆片被清洗干净。

但是，这种方法也有弊端。由于涡流运动不够稳定，也难以控制，因此，对于晶圆片的清洗力度只能依赖经验和估计，难以精确控制清洗效果。

发明内容

本发明提供一种用于12寸晶圆片的快速清洗槽，目的在于解决现有的快速清洗槽在清洗晶圆片时，清洗力度难以精确控制的问题。

一种用于12寸晶圆片的快速清洗槽，将12寸晶圆片被放置在晶圆片载具内，当所述晶圆片载具放置在所述快速清洗槽内时，在对应所述晶圆片载具内晶圆片的两侧垂直方向上分别设置有3个喷淋管，

所述喷淋管的角度设置使得当水柱从喷淋管喷出时，水柱直接喷射到晶圆片的表面，

在所述晶圆片载具两侧设置的喷淋管的角度设置是对称的，以晶圆片载具为中心形成3对喷淋管，使得两侧喷淋管喷射到晶圆片表面的水柱呈现为对称状态，且形成覆盖晶圆片的3个清洗面。

在所述晶圆片载具两侧沿着晶圆片载具设置的喷淋管的数量对应所述晶圆片载具内装载的晶圆片的数量，保证每3对喷淋管对应一片晶圆片。

所述晶圆片载具安放在所述快速清洗槽底部的立柱上。

本发明改变了现有的清洗方式设计，仅设置快速清洗槽两侧喷淋管，清洗水柱直接喷射到晶圆片表面，实现了对12寸晶圆片清洗力度的精确控制。

附图说明

通过参考附图阅读下文的详细描述，本发明示例性实施方式的上述以及其他目的、特征和优点将变得易于理解。在附图中，以示例性而非限制性的方式示出了本发明的若干实施方式，其中：

图1现有技术中快速清洗槽的一种清洗方式示意图。

图2是图1的清洗槽的侧面示意图。

图3是本发明的清洗槽的清洗方式示意图。

1——8寸晶圆片，2——晶圆片载具，3——清洗槽，4——喷淋管，5——氮气管，6——水柱，7——12寸晶圆片。

具体实施方式

如图3所示，本发明的用于12寸晶圆片的快速清洗槽，将12寸晶圆片被放置在晶圆片载具内，当所述晶圆片载具放置在所述快速清洗槽内时，在对应所述晶圆片载具内晶圆片的两侧垂直方向上分别设置有3个喷淋管，所述喷淋管的角度设置使得当水柱从喷淋管喷出时，水柱直接喷射到晶圆片的表面。

在所述晶圆片载具两侧设置的喷淋管的角度设置是对称的，以晶圆片载具为中心形成3对喷淋管，使得两侧喷淋管喷射到晶圆片表面的水柱呈现为对称状态，且形成覆盖晶圆片的3个清洗面。

在所述晶圆片载具两侧沿着晶圆片载具设置的喷淋管的数量对应所述晶圆片载具内装载的晶圆片的数量，保证每3对喷淋管对应一片晶圆片。

所述晶圆片载具安放在所述快速清洗槽底部的立柱上。

值得说明的是，虽然前述内容已经参考若干具体实施方式描述了本发明创造的精神和原理，但是应该理解，本发明并不限于所公开的具体实施方式，对各方面的划分也不意味着这些方面中的特征不能组合，这种划分仅是为了表述的方便。本发明旨在涵盖所附权利要求的精神和范围内所包括的各种修改和等同布置。