[发明专利]基板处理方法、基板处理装置以及记录介质

权利要求书

1.一种基板处理方法，在处理容器内使用超临界状态的处理流体进行将液体从基板去除的干燥处理，所述基板处理方法包括以下工序：

第一处理工序，将所述处理容器内的流体排出，直到所述处理容器内成为不引起所述处理容器内存在的超临界状态的所述处理流体的气化的第一排出到达压力为止，之后，向所述处理容器内供给所述处理流体，直到所述处理容器内成为比所述第一排出到达压力高且不引起所述处理容器内的所述处理流体的气化的第一供给到达压力为止；以及

第二处理工序，在所述第一处理工序之后，将所述处理容器内的流体排出，直到所述处理容器内成为不引起超临界状态的所述处理流体的气化的与所述第一排出到达压力不同的第二排出到达压力为止，之后，向所述处理容器内供给所述处理流体，直到所述处理容器内成为比所述第二排出到达压力高且不引起所述处理容器内的所述处理流体的气化的第二供给到达压力为止，

其中，所述第一排出到达压力比所述第二排出到达压力高。

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

基于预先进行的实验的结果，来决定将所述处理容器内的流体排出直到所述处理容器内成为所述第一排出到达压力为止的定时以及将所述处理容器内的流体排出直到所述处理容器内成为所述第二排出到达压力为止的定时中的至少一方。

3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

所述第一供给到达压力和所述第二供给到达压力是比所述处理容器内的所述处理流体的临界压力的最大值高的压力。

4.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

所述处理流体以实质上朝向水平方向的方式被供给到所述处理容器内。

5.一种基板处理方法，在处理容器内使用超临界状态的处理流体进行将液体从基板去除的干燥处理，所述基板处理方法包括以下工序：

第一处理工序，将所述处理容器内的流体排出，直到所述处理容器内成为不引起所述处理容器内存在的超临界状态的所述处理流体的气化的第一排出到达压力为止，之后，向所述处理容器内供给所述处理流体，直到所述处理容器内成为比所述第一排出到达压力高且不引起所述处理容器内的所述处理流体的气化的第一供给到达压力为止；以及

第二处理工序，在所述第一处理工序之后，将所述处理容器内的流体排出，直到所述处理容器内成为不引起超临界状态的所述处理流体的气化的与所述第一排出到达压力不同的第二排出到达压力为止，之后，向所述处理容器内供给所述处理流体，直到所述处理容器内成为比所述第二排出到达压力高且不引起所述处理容器内的所述处理流体的气化的第二供给到达压力为止，

其中，所述第一排出到达压力比所述第二排出到达压力低，

所述基板处理方法还包括第三处理工序，在该第三处理工序中，在所述第二处理工序之后，将所述处理容器内的流体排出，直到所述处理容器内成为不引起超临界状态的所述处理流体的气化并且比所述第二排出到达压力低的第三排出到达压力为止，之后，向所述处理容器内供给所述处理流体，直到所述处理容器内成为比所述第三排出到达压力高且不引起所述处理容器内的所述处理流体的气化的第三供给到达压力为止。

6.根据权利要求5所述的基板处理方法，其特征在于，

基于预先进行的实验的结果，来决定将所述处理容器内的流体排出直到所述处理容器内成为所述第一排出到达压力为止的定时以及将所述处理容器内的流体排出直到所述处理容器内成为所述第二排出到达压力为止的定时中的至少一方。

7.根据权利要求5所述的基板处理方法，其特征在于，

所述第一供给到达压力和所述第二供给到达压力是比所述处理容器内的所述处理流体的临界压力的最大值高的压力。

8.根据权利要求5所述的基板处理方法，其特征在于，

所述处理流体以实质上朝向水平方向的方式被供给到所述处理容器内。