[发明专利]基板处理方法、基板处理装置以及记录介质

说明书

本发明提供一种能够抑制处理流体的消耗量且在短时间内进行使用超临界状态的处理流体来将液体从基板除去的干燥处理的基板处理方法、基板处理装置以及记录介质。基板处理方法包括以下工序：第一处理工序，将处理容器内的流体排出，直到成为不引起处理容器内存在的超临界状态的处理流体的气化的第一排出到达压力为止，之后，向处理容器内供给处理流体，直到成为不引起处理容器内的处理流体的气化的第一供给到达压力为止；第二处理工序，将处理容器内的流体排出，直到成为不引起超临界状态的处理流体的气化的第二排出到达压力为止，之后，向处理容器内供给处理流体，直到成为不引起处理容器内的处理流体的气化的第二供给到达压力为止。

技术领域

本发明涉及一种使用超临界状态的处理流体来将附着于基板的表面的液体去除的技术。

背景技术

在作为基板的半导体晶圆(以下称作晶圆)等的表面形成集成电路的层叠结构的半导体装置的制造工序中，进行利用药液等清洗液将晶圆表面的微小的灰尘、自然氧化膜去除等利用液体来对晶圆表面进行处理的液处理工序。

已知如下一种方法：当在这样的液处理工序中将附着于晶圆的表面的液体等去除时，使用超临界状态的处理流体。

例如，专利文献1中公开了一种使超临界状态的流体与基板接触来将附着于基板的液体去除的基板处理装置。另外，专利文献2公开了一种利用超临界流体来从基板上将有机溶剂溶解并使基板干燥的基板处理装置。

在使用超临界状态的处理流体来将液体从基板去除的干燥处理中，期望抑制基板上形成的半导体图案的损坏(即，由于图案之间的液体的表面张力而引起的图案损坏)的发生，并且尽可能地缩短处理时间。另外，期望尽可能地抑制干燥处理中使用的处理流体的消耗量。

专利文献1：日本特开2013-12538号公报

专利文献2：日本特开2013-16798号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明是在这种背景下完成的，其目的在于提供一种能够抑制处理流体的消耗量并且在短时间内进行使用超临界状态的处理流体来将液体从基板去除的干燥处理的基板处理装置、基板处理方法以及记录介质。

用于解决问题的方案

本发明的一个方式涉及一种基板处理方法，在处理容器内使用超临界状态的处理流体进行将液体从基板去除的干燥处理，所述基板处理方法包括以下工序：第一处理工序，将处理容器内的流体排出，直到处理容器内成为不引起处理容器内存在的超临界状态的处理流体的气化的第一排出到达压力为止，之后，向处理容器内供给处理流体，直到处理容器内成为比第一排出到达压力高且不引起处理容器内的处理流体的气化的第一供给到达压力为止；以及第二处理工序，在第一处理工序之后，将处理容器内的流体排出，直到处理容器内成为不引起超临界状态的处理流体的气化的与第一排出到达压力不同的第二排出到达压力为止，之后，向处理容器内供给处理流体，直到处理容器内成为比第二排出到达压力高且不引起处理容器内的处理流体的气化的第二供给到达压力为止。