[发明专利]具有局部P型帽层的晶体管器件

权利要求书

1.具有局部P型帽层的晶体管器件，所述晶体管器件包括衬底、过渡层、沟道层、势垒层；

其特征在于：

所述晶体管器件还包括位于所述势垒层上方的源极、栅极、漏极和P型帽层，所述P型帽层包括至少一个第一P型区和至少一个第二P型区，所述第一P型区和所述第二P型区邻接，所述第一P型区和所述第二P型区均位于所述栅极和所述漏极之间，自所述栅极至所述漏极，首个第一P型区与所述源极电连接；

所述第一P型区中P型杂质的掺杂面浓度大于所述第二P型区中P型杂质的掺杂面浓度，

所述第一P型区中P型杂质的掺杂面浓度大于所述第一P型区下方的二维电子气面浓度，

所述第二P型区中P型杂质的掺杂面浓度小于所述第二P型区下方的二维电子气面浓度；

所述势垒层上形成有介质层，所述第一P型区、所述第二P型区、所述源极、所述栅极以及

所述漏极均位于所述介质层与所述势垒层之间，所述介质层上设有金属层，所述金属层将所述源极与所述首个第一P型区电连接；

所述介质层在所述源极的上方开设有第一通孔，所述介质层在所述首个第一P型区的上方开设有第二通孔；

所述金属层包括第一延伸部、第二延伸部以及连接在所述第一延伸部和所述第二延伸部之间的连接部，所述第一延伸部插入所述第一通孔并与所述源极相连接，所述第二延伸部插入所述第二通孔并与所述首个第一P型区相连接；

所述金属层还包括第三延伸部，所述第三延伸部平行于所述连接部并沿着所述介质层的上表面自所述第二延伸部向靠近所述漏极的一侧延伸。

2.根据权利要求1所述的晶体管器件，其特征在于：

所述第一P型区的数量与所述第二P型区的数量均为二个以上，自所述栅极至所述漏极，所述第一P型区与所述第二P型区依次交替排列。

3.根据权利要求1所述的晶体管器件，其特征在于：

自所述栅极至所述漏极，首个P型区为所述第一P型区。

4.根据权利要求3所述的晶体管器件，其特征在于：

所述第一P型区的数量大于或等于所述第二P型区的数量。

5.根据权利要求1至4任一项所述的晶体管器件，其特征在于：

所述P型帽层部分覆盖所述势垒层上所述栅极与所述漏极之间的区域。

6.根据权利要求1至4任一项所述的晶体管器件，其特征在于：

所述第一P型区中P型杂质的掺杂面浓度为所述第一P型区的平均受主浓度与所述第一P型区的厚度的乘积；所述第二P型区中P型杂质的掺杂面浓度为所述第二P型区的平均受主浓度与所述第二P型区的厚度的乘积。

7.根据权利要求1至4任一项所述的晶体管器件，其特征在于：

所述栅极为肖特基栅或P型栅或金属介质栅。

8.根据权利要求1至4任一项所述的晶体管器件，其特征在于：

所述栅极为沟槽栅。

9.根据权利要求1至4任一项所述的晶体管器件，其特征在于：

所述栅极为氟离子处理过的栅极。