[发明专利]短路不良的检测方法和装置

权利要求书

1.一种短路不良的检测方法，采用外部检测仪器以检测待测基板包括的外部补偿像素驱动电路是否存在短路不良，所述待测基板包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上的阳极层和阵列排布的多个外部补偿像素驱动电路，所述阳极层位于所述待测基板的最上方；所述阳极层包括阵列排布的多个阳极，一所述阳极与一所述外部补偿像素驱动电路对应连接；所述外部补偿像素驱动电路还与数据线、数据写入控制端、电源电压输入端、外部补偿控制端和外部补偿线连接；所述外部检测仪器包括导电电极层和液晶层；所述导电电极层接入预定电极电压；其特征在于，一检测阶段包括依次设置的第一时间段和检测时间段，所述短路不良的检测方法包括：

在一检测阶段，向所述电源电压输入端提供预定电源电压，向所述数据线提供预定数据电压，向所述数据写入控制端提供预定数据写入控制电压，向所述外部补偿线提供预定外部补偿电压；所述预定电源电压与所述预定电极电压之间的电压差值的绝对值小于第一预定电压差值；

在该检测阶段包括的第一时间段，向所述外部补偿控制端提供第一外部补偿控制电压，以控制所述外部补偿像素驱动电路包括的外部补偿控制晶体管导通；在该检测阶段包括的检测时间段，向所述外部补偿控制端提供第二外部补偿控制电压，以控制所述外部补偿像素驱动电路包括的外部补偿控制晶体管关断；

在该检测阶段包括的检测时间段，将所述阳极层与所述检测仪器包括的导电电极层相对设置，并控制所述液晶层设置于该阳极层与该导电电极层之间，根据所述液晶层上是否存在暗点以判断相应的外部补偿像素驱动电路中是否存在短路不良。

2.如权利要求1所述短路不良的检测方法，其特征在于，所述第一预定电压差值小于或等于1V。

3.如权利要求1所述的短路不良的检测方法，其特征在于，所述预定电极电压为负电压，所述预定电源电压也为负电压，所述预定外部补偿电压为正电压，所述预定数据写入控制电压为正电压，所述预定数据电压为负电压。

4.如权利要求1所述的短路不良的检测方法，其特征在于，预定数据电压与预定电源电压之间的差值的绝对值大于第二预定电压差值；预定数据电压与第二外部补偿控制电压之间的差值的绝对值大于第二预定电压差值；

在该检测阶段包括的检测时间段，当判断到一所述外部补偿像素驱动电路中存在短路不良时，所述短路不良的检测方法还包括：

在该检测时间段，检测与该外部补偿像素驱动电路连接的阳极的电压，当所述与该外部补偿像素驱动电路连接的阳极的电压与所述预定数据电压之间的电压差值的绝对值小于第二预定电压差值时，判断到该外部补偿像素驱动电路中的存储电容的第一端与该存储电容的第二端之间短路。

5.如权利要求4所述的短路不良的检测方法，其特征在于，所述短路不良的检测方法还包括：在该检测时间段，当检测得到的与该外部补偿像素驱动电路连接的阳极的电压与所述预定电源电压之间的差值的绝对值小于第三预定电压差值时，判断到该外部补偿像素驱动电路中的驱动晶体管的漏极和该驱动晶体管的源极之间短路。

6.如权利要求5所述的短路不良的检测方法，其特征在于，所述短路不良的检测方法还包括：在该检测时间段，当检测得到的与该外部补偿像素驱动电路连接的阳极的电压与所述第二外部补偿控制电压之间的差值的绝对值小于第四预定电压差值时，判断到该外部补偿像素驱动电路中的外部补偿控制晶体管的栅极和该外部补偿控制晶体管的源极之间短路。

7.如权利要求6所述的短路不良的检测方法，其特征在于，所述短路不良的检测方法还包括：在该检测时间段，当检测得到的与该外部补偿像素驱动电路连接的阳极的电压与所述预定电源电压之间的差值的绝对值小于第五预定电压差值时，判断到该外部补偿像素驱动电路中的数据写入晶体管的栅极和该数据写入晶体管的漏极之间短路。

8.如权利要求1至7中任一权利要求所述的短路不良的检测方法，其特征在于，一检测阶段还包括设置于第一时间段之前的置位时间段，所述短路不良的检测方法还包括：在所述置位时间段，向所述外部补偿控制端提供第三外部补偿控制电压，以使得所述外部补偿控制晶体管关断。