[发明专利]磁阻效应器件

权利要求书

1.一种磁阻效应器件，其具备：

层间绝缘层；

贯通电极，其贯通所述层间绝缘层，至少在一面露出；和

磁阻效应元件，其被层叠于所述贯通电极上，

所述磁阻效应元件具备与所述贯通电极相接的第一铁磁性金属层、第二铁磁性金属层、以及被所述第一铁磁性金属层和所述第二铁磁性金属层夹持的非磁性层，

所述贯通电极具有通电部、及与磁阻效应元件接合的接合部，

所述通电部由铜、铝、或银构成，

所述接合部由含有选自Ti、Nb、V、Ta、Zr及Al中的任一种的氮化物构成，

层叠所述磁阻效应元件的层叠面上的所述层间绝缘层和所述贯通电极的维氏硬度差为3GPa以下，

所述贯通电极的自所述层间绝缘层上的层叠面起的高度为1.5nm以下。

2.根据权利要求1所述的磁阻效应器件，其中，

所述高度除以所述贯通电极的所述层叠面上的最大宽度所得到的凸度为0.015以下。

3.根据权利要求1所述的磁阻效应器件，其中，

所述层间绝缘层为氧化硅或氧化锆的任一种。

4.根据权利要求1所述的磁阻效应器件，其中，

所述层间绝缘层为氧化硅，

构成所述贯通电极的所述接合部的材料为氮化钒。

5.根据权利要求2所述的磁阻效应器件，其中，

所述层间绝缘层为氧化硅，

构成所述贯通电极的所述接合部的材料为氮化钒。

6.根据权利要求1所述的磁阻效应器件，其中，

所述层间绝缘层为氧化锆，

构成所述贯通电极的所述接合部的材料为含有选自Nb、V及Al中的任一种的氮化物。

7.根据权利要求2所述的磁阻效应器件，其中，

所述层间绝缘层为氧化锆，

构成所述贯通电极的所述接合部的材料为含有选自Nb、V及Al中的任一种的氮化物。

8.根据权利要求1所述的磁阻效应器件，其中，

所述层间绝缘层为氮化硅，

构成所述贯通电极的所述接合部的材料为含有选自Nb、Zr及Al中的任一种的氮化物。

9.根据权利要求2所述的磁阻效应器件，其中，

所述层间绝缘层为氮化硅，

构成所述贯通电极的所述接合部的材料为含有选自Nb、Zr及Al中的任一种的氮化物。

10.根据权利要求1或2所述的磁阻效应器件，其中，

所述层间绝缘层为氮化铬、碳氮化硅、氧化铝的任一种，

构成所述贯通电极的所述接合部的材料为含有Ti或Zr的氮化物。

11.根据权利要求1~9中任一项所述的磁阻效应器件，其中，

还具有覆盖所述磁阻效应元件的侧面的绝缘部，

所述绝缘部由氮化物构成。

12.根据权利要求1~9中任一项所述的磁阻效应器件，其中，

所述磁阻效应元件为隧道磁阻效应元件，

所述隧道磁阻效应元件的隧道势垒层的晶格常数、和所述接合部能够采用的结晶结构的晶格常数的晶格非匹配度为5%以内。

13.根据权利要求1~9中任一项所述的磁阻效应器件，其中，

所述贯通电极的电阻率为200μΩ·cm以下。

14.一种磁阻效应器件，其具备：

层间绝缘层；

贯通电极，其贯通所述层间绝缘层，至少在一面露出；和

磁阻效应元件，其被层叠于所述贯通电极上，

所述贯通电极具有通电部、及与磁阻效应元件接合的接合部，

层叠所述磁阻效应元件的层叠面上的所述层间绝缘层和所述贯通电极的维氏硬度差为3GPa以下，

所述磁阻效应元件为隧道磁阻效应元件，

所述隧道磁阻效应元件的隧道势垒层的晶格常数、和所述接合部能够采用的结晶结构的晶格常数的晶格非匹配度为5%以内，

在所述隧道势垒层为MgAl₂O₄或ZnAl₂O₄的情况下，所述接合部为含有选自Ti、V及Al中的任一种的氮化物，

在所述隧道势垒层为γ-Al₂O₃或Mg_0.5Al₂O₄的情况下，所述接合部为含有选自V或Al中的任一种的氮化物，

在所述隧道势垒层为MgGa₂O₄或ZnGa₂O₄的情况下，所述接合部为含有选自Ti、V、Ta及Al中的任一种的氮化物，

在所述隧道势垒层为ZnIn₂O₄的情况下，所述接合部为含有选自Nb、Ta、Zr中的任一种的氮化物，

在所述隧道势垒层为CdAl₂O₄或CdGa₂O₄的情况下，所述接合部为含有选自Ti、Nb、V及Ta中的任一种的氮化物。