[发明专利]一种阵列基板的制备方法及阵列基板、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底基板的一侧形成钝化层的膜层；在所述钝化层的膜层上形成有金属反射层及金属反射层图形，且所述金属反射层图形能够令所述钝化层的一部分露出所述金属反射层；

通过构图工艺在所述钝化层的膜层上形成钝化层过孔，并在所述金属反射层中用于与源漏电极层连接的电极覆盖区内形成减薄区域。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述通过构图工艺在所述钝化层的膜层上形成钝化层过孔，并在所述金属反射层中用于与源漏电极层连接的电极覆盖区内形成减薄区域，具体包括：

在所述金属反射层和所述钝化层上形成光刻胶层；

对所述光刻胶层进行曝光显影，去除所述光刻胶层中与所述钝化层过孔对应的区域、以及与所述电极覆盖区的至少一部分对应的区域；

对所述金属反射层和所述钝化层进行刻蚀，在所述钝化层的膜层上形成钝化层过孔，并减薄所述电极覆盖区的至少一部分。

3.根据权利要求2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述减薄区域的面积小于所述电极覆盖区的面积。

4.根据权利要求2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述减薄区域的面积大于或等于所述电极覆盖区的面积。

5.根据权利要求2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述钝化层过孔包括位于显示区域中用于连接像素电极和薄膜晶体管漏极的连接过孔、以及位于外围集成电路区域中的转接过孔。

6.根据权利要求5所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述通过构图工艺在所述钝化层的膜层上形成钝化层过孔，并减薄所述金属反射层中用于与源漏电极层连接的区域中的至少一部分之后，还包括：

在所述连接过孔和所述转接过孔内形成连接线层。

7.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成钝化层的膜层之前，还包括：

在所述衬底基板上依次形成栅极层的图形、栅绝缘层、有源层的图形和源漏电极层的图形。

8.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板和依次设置于所述衬底基板上的钝化层、金属反射层和连接线层，其中：

所述金属反射层中用于与源漏电极层连接的电极覆盖区内形成有减薄区域。

9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述减薄区域的面积小于所述电极覆盖区的面积；或，减薄区域的面积大于或等于所述电极覆盖区的面积。

10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求8或权利要求9所述的阵列基板。