[发明专利]一种阵列基板的制备方法及阵列基板、显示装置

说明书

本发明涉及显示技术领域，公开一种阵列基板的制备方法及阵列基板、显示装置。阵列基板的制备方法包括：在衬底基板的一侧形成钝化层的膜层；在所述钝化层的膜层上形成金属反射层的图形；通过构图工艺在所述钝化层的膜层上形成钝化层过孔，并在所述金属反射层中用于与源漏电极层连接的电极覆盖区内形成减薄区域。在形成钝化层过孔的构图工艺过程中，同时在金属反射层中用于与源漏电极层连接的电极覆盖区内形成减薄区域，可将电极覆盖区内的至少一部分保护膜去除，从而可提高电极覆盖区域的导电性能，改善了由于金属反射层的表面形成的保护膜导致的导电材料和金属反射层之间的接触导电性降低、进而导致显示装置产生亮暗不均的问题。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板的制备方法及阵列基板、显示装置。

背景技术

液晶显示装置根据其使用的光源不同，可分为透射式、全反射式和半透半反式。其中，全反射式显示装置以前置光源或者环境光源作为光源，不需使用背光源，因此功耗较低。在TN(Twiste Dnematic)模式的全反射式液晶显示装置中，通过在其阵列基板的表面设置一层金属反射层来对外界入射的光线进行反射，该阵列基板需要通过6次光刻工艺制成，6次光刻工艺依次形成栅极层、有源层、源漏电极层、钝化层、连接线层和金属反射层的图形，其中，金属反射层还用作像素电极，在钝化层上需形成过孔，具体包括阵列基板的显示区域中连接薄膜晶体管漏极和像素电极的过孔、以及外围集成电路区域中的转接过孔，在转接过孔内设有连接线层。

在金属反射层图形的制备过程中，由于连接线层的致密性不足，转接过孔内的连接线层易被金属反射层的刻蚀液腐蚀。现有的解决方法为在钝化层的膜层形成之后首先形成金属反射层的图形，再形成钝化层过孔，可避免金属反射层的刻蚀液对连接线层过孔造成腐蚀。由于金属反射层还用作像素电极，在后续制备过程中还需使用连接线层将金属反射层与源漏电极层连接，但是，由于目前常用的金属反射层材料为易发生钝化反应的铝钕材料，因此金属反射层的表面易形成一层致密的保护膜，该保护膜的导电性差，会降低连接线层和金属反射层之间的接触导电性，进而导致显示装置产生亮暗不均的显示问题。

发明内容

本发明提供了一种阵列基板的制备方法及阵列基板、显示装置，用以解决现有的阵列基板的制备方法中由于金属反射层的表面形成的保护膜导致的导电材料和金属反射层之间的接触导电性降低、进而导致显示装置产生亮暗不均的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下的技术方案：

一种阵列基板的制备方法，包括：

在衬底基板的一侧形成钝化层的膜层；

在所述钝化层的膜层上形成金属反射层的图形；

通过构图工艺在所述钝化层的膜层上形成钝化层过孔，并在所述金属反射层中用于与源漏电极层连接的电极覆盖区内形成减薄区域。

本发明提供的阵列基板的制备方法中，在形成钝化层的膜层和金属反射层的图形之后，在形成钝化层过孔的构图工艺过程中，同时在金属反射层中用于与源漏电极层连接的电极覆盖区内形成减薄区域，可将电极覆盖区内的至少一部分保护膜去除，从而可提高电极覆盖区域的导电性能，改善了由于金属反射层的表面形成的保护膜导致的导电材料和金属反射层之间的接触导电性降低、进而导致显示装置产生亮暗不均的问题。

可选地，所述通过构图工艺在所述钝化层的膜层上形成钝化层过孔，并在所述金属反射层中用于与源漏电极层连接的电极覆盖区内形成减薄区域，具体包括：

在所述金属反射层和所述钝化层上形成光刻胶层；

对所述光刻胶层进行曝光显影，去除所述光刻胶层中与所述钝化层过孔对应的区域、以及与所述电极覆盖区的至少一部分对应的区域；

对所述金属反射层和所述钝化层进行刻蚀，在所述钝化层的膜层上形成钝化层过孔，并减薄所述电极覆盖区的至少一部分。