[发明专利]磁存储器和存储器系统

权利要求书

1.一种磁存储器，包括：

第一磁阻效应元件，所述第一磁阻效应元件具有第一电阻状态或第二电阻状态；以及

读取电路，所述读取电路被配置为：将第一读取电压施加到第一磁阻效应元件，保持由第一读取电压造成的第一充电电位，将高于第一读取电压的第二读取电压施加到第一磁阻效应元件，保持由第二读取电压造成的第二充电电位，以及基于第一充电电位与第二充电电位之间的比较结果来确定第一磁阻效应元件是处于第一电阻状态还是第二电阻状态，

其中第一读取电压的第一脉冲宽度比第二读取电压的第二脉冲宽度宽。

2.如权利要求1所述的存储器，其中

第一脉冲宽度和第二脉冲宽度是基于第一时段和第二时段来设置的，在第一时段期间第一电位达到第一值，在第二时段期间第二电位达到第一值；

第一电位是在施加第一读取电压时由具有第一电阻状态的第一磁阻效应元件造成的充电电位和在施加第一读取电压时由具有第二电阻状态的第一磁阻效应元件造成的充电电位之间的电位，以及

第二电位是在施加第二读取电压时由具有第一电阻状态的第一磁阻效应元件造成的充电电位和在施加第二读取电压时由具有第二电阻状态的第一磁阻效应元件造成的充电电位之间的电位。

3.如权利要求2所述的存储器，还包括

控制电路，所述控制电路控制第一脉冲宽度和第二脉冲宽度，

其中，

控制电路包括

第二磁阻效应元件，所述第二磁阻效应元件具有第一电阻状态，

第三磁阻效应元件，所述第三磁阻效应元件并联电连接到第二磁阻效应元件并具有第二电阻状态，以及

第一监视器电路和第二监视器电路，所述第一监视器电路和所述第二监视器电路监视由向第二磁阻效应元件和第三磁阻效应元件施加第一读取电压和第二读取电压造成的充电电位。

4.如权利要求3所述的存储器，其中

在施加第一读取电压时，当充电电位达到第一值时，第一监视器电路向读取电路供给第一信号，

读取电路基于第一信号停止施加第一读取电压，

在施加第二读取电压时，当充电电位达到第一值时，第二监视器电路向读取电路供给第二信号，以及

读取电路基于第二信号停止施加第二读取电压。

5.如权利要求1所述的存储器，还包括

写入电路，所述写入电路被配置为向第一磁阻效应元件供给写入电流或写入电压，以便将第一磁阻效应元件的电阻状态设置为第一电阻状态或者第二电阻状态，

其中，在判断出第一磁阻效应元件的电阻状态之后，写入电路将第一磁阻效应元件的电阻状态设置为与第一磁阻效应元件的电阻状态的判断结果相同的电阻状态。

6.如权利要求5所述的存储器，其中

在第一磁阻效应元件具有第二电阻状态的情况下第一磁阻效应元件的电阻值高于在第一磁阻效应元件具有第一电阻状态的情况下第一磁阻效应元件的电阻值，以及

当第一磁阻效应元件的电阻状态为第二电阻状态时，写入电路将写入电流或写入电压供给第一磁阻效应元件，以将第一磁阻效应元件的电阻状态设置为第二电阻状态。

7.如权利要求1所述的存储器，其中

读取电路包括

第一电路，所述第一电路基于第三信号向第一磁阻效应元件施加第一读取电压，以及

第二电路，所述第二电路基于第四信号向第一磁阻效应元件施加第二读取电压。

8.如权利要求1所述的存储器，其中

在向具有第二电阻状态的第一磁阻效应元件施加第二读取电压的情况下第一磁阻效应元件的电阻值低于在向具有第二电阻状态的第一磁阻效应元件施加第一读取电压的情况下第一磁阻效应元件的电阻值。