[发明专利]磁存储器和存储器系统有效
| 申请号： | 201710900091.8 | 申请日： | 2017-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN108091358B | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 野口纮希;藤田忍 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 邹丹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁存储器 存储器 系统 | ||
本公开涉及磁存储器和存储器系统。根据一个实施例，磁存储器包括：具有第一电阻状态或第二电阻状态的第一磁阻效应元件；以及读取电路。读取电路被配置为：将第一读取电压施加到第一磁阻效应元件，保持由第一读取电压造成的第一充电电位，将高于第一读取电压的第二读取电压施加到第一磁阻效应元件，保持由第二读取电压造成的第二充电电位，以及基于第一充电电位与第二充电电位之间的比较结果来确定第一磁阻效应元件是处于第一电阻状态还是处于第二电阻状态。
对相关申请的交叉引用
本申请基于并要求于2016年11月21日提交的日本专利申请No.2016-226364的优先权的权利，该申请全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本文描述的实施例一般而言涉及磁存储器和存储器系统。
背景技术
作为诸如SRAM和DRAM的易失性存储器的替代存储器，诸如自旋转移-转矩(STT)-MRAM的非易失性存储器已经引起关注。
促进诸如数据写入和数据读取的各种操作的研发，以提高非易失性存储器的特征和功能。
附图说明
图1是用于解释实施例的磁存储器的构造示例的图；
图2是示出该实施例的磁存储器的存储器单元格阵列的构造示例的等效电路图；
图3是示出该实施例的磁存储器的存储器单元格的结构示例的示意剖面图；
图4A和4B是用于解释该实施例的磁存储器的操作的图；
图5和6是用于解释该实施例的磁存储器的操作的图；
图7是示出第一实施例的磁存储器的操作示例的流程图；
图8是示出该实施例的磁存储器的读取电路的构造示例的等效电路图；
图9是示出第一实施例的磁存储器的操作示例的时序图；
图10是示出第二实施例的磁存储器的操作示例的流程图；
图11是示出第二实施例的磁存储器的操作示例的时序图；
图12是示出第三实施例的磁存储器的构造示例的示意图；
图13是示出第三实施例的磁存储器的构造示例的等效电路图；
图14是示出第三实施例的磁存储器的操作示例的时序图；
图15是示出第三实施例的磁存储器的构造示例的等效电路图；
图16、图17、图18和图19是示出第四实施例的磁存储器的构造示例的等效电路图；以及
图20和图21是示出第五实施例的磁存储器的构造示例的等效电路图。
具体实施方式
一般而言，根据一个实施例，磁存储器包括：具有第一电阻状态或第二电阻状态的第一磁阻效应元件；以及读取电路，读取电路被配置为将第一读取电压施加到第一磁阻效应元件，保持由第一读取电压造成的第一充电电位，将高于第一读取电压的第二读取电压施加到第一磁阻效应元件，保持由第二读取电压造成的第二充电电位，以及基于第一充电电位与第二充电电位之间的比较结果来确定第一磁阻效应元件是处于第一电阻状态还是处于第二电阻状态。
[实施例]
在下文中，将参考图1至21详细描述给出的实施例。在下面的解释中，相同的标号表示具有相同功能和构造的构成要素。在以下的实施例中，当具有在标号末尾添加的数字/字母以用于区分的元素(诸如字线WL、位线BL以及各种电压和信号)彼此没有不同时，使用省略最后的数字/字母的表述。
(1)第一实施例
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