[发明专利]一种低损耗高介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法

权利要求书

1.一种低损耗高介电常数微波介质陶瓷材料，化学式为Sr_0.4Ce_0.4Ti_1-x(Al_0.5Nb_0.5)_xO₃，其中x＝0.05～0.1。

该低损耗高介电常数微波介质陶瓷材料的制备方法，具有步骤如下：

(1)将原料SrCO₃、CeO₂、TiO₂、Al₂O₃、Nb₂O₅按Sr_0.4Ce_0.4Ti_1-x(Al_0.5Nb_0.5)_xO₃，其中x＝0.05～0.1的化学式称量配料；

(2)将步骤(1)配制的粉料放入球磨罐中，加入氧化锆球和无水乙醇，球磨6小时，再将球磨后的原料置于红外干燥箱中烘干，烘干后过40目筛，获得颗粒均匀的粉料；

(3)将步骤(2)颗粒均匀的粉料于1200℃下煅烧4小时，合成主晶相；

(4)在步骤(3)合成主晶相的粉料中外加质量百分比为0.75％的聚乙烯醇，放入球磨罐中，加入氧化锆球和无水乙醇，球磨12小时，烘干后过80目筛，再用粉末压片机以3MPa的压力成型为坯体；

(5)将步骤(4)成型后的坯体于1400～1450℃烧结，保温6小时，制成具有低介电损耗、高介电常数、低谐振频率温度系数的介质陶瓷材料。

2.根据权利要求1所述的一种低损耗高介电常数微波介质陶瓷材料，其特征在于，所述步骤(2)和步骤(4)的烘干温度为100℃。

3.根据权利要求1所述的一种低损耗高介电常数微波介质陶瓷材料，其特征在于，所述步骤(2)和步骤(4)的陶瓷粉体与氧化锆球、去离子水的质量比为1：1：2。

4.根据权利要求1所述的一种低损耗高介电常数微波介质陶瓷材料，其特征在于，所述步骤(4)的坯体为Φ10mm×5mm的圆片。

5.根据权利要求1所述的一种低损耗高介电常数微波介质陶瓷材料，其特征在于，所述步骤(5)烧结温度为1425℃。