[发明专利]基板处理装置及基板处理方法

权利要求书

1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：

旋转机构，使具有被处理面的基板在平面内旋转；

第1喷嘴，向通过上述旋转机构旋转的上述基板的被处理面供给处理液；

第2喷嘴，向通过上述旋转机构旋转的上述基板的被处理面的中心供给挥发性溶媒；

位置移动部，在上述处理液被从上述第1喷嘴向上述基板的被处理面的中心供给的状态下，使上述基板的被处理面上的被供给上述处理液的处理液供给位置从上述基板的被处理面的中心向中心附近的位置移动，在上述处理液被从上述第1喷嘴向上述基板的被处理面的中心附近的位置供给、上述挥发性溶媒被从上述第2喷嘴向上述基板的被处理面的中心供给的状态下，使上述处理液供给位置沿着从上述基板的被处理面的中心朝外的方向移动。

2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

上述中心附近的位置被设定为从上述第1喷嘴供给到上述中心附近的位置的上述处理液扩展到通过上述旋转机构而旋转的上述基板的被处理面的中心的位置。

3.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

上述位置移动部与从上述第2喷嘴供给到上述基板的被处理面的上述挥发性溶媒的扩展相对应地使上述处理液供给位置沿着从上述基板的被处理面的中心朝外的方向移动。

4.如权利要求1～3中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

上述旋转机构在上述处理液被从上述第1喷嘴供给到上述基板的被处理面的中心附近的位置、上述挥发性溶媒被从上述第2喷嘴供给到上述基板的被处理面的中心的状态持续了规定时间的情况下，将上述基板的转速降低而继续上述基板的旋转；

上述位置移动部在上述基板以被上述旋转机构降低后的上述基板的转速旋转的状态下，使上述处理液供给位置沿着从上述基板的被处理面的中心朝外的方向移动。

5.如权利要求1～3中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

上述挥发性溶媒是IPA。

6.一种基板处理方法，其特征在于，具有：

通过旋转机构使具有被处理面的基板在平面内旋转的工序；

从第1喷嘴向通过上述旋转机构旋转的上述基板的被处理面的中心供给处理液的工序；

第1移动工序，在上述处理液被从上述第1喷嘴向上述基板的被处理面的中心供给的状态下，通过位置移动部使上述基板的被处理面的被供给上述处理液的处理液供给位置从上述基板的被处理面的中心向中心附近的位置移动；

在上述处理液被从上述第1喷嘴供给到上述基板的被处理面的中心附近的位置的状态下、从第2喷嘴向通过上述旋转机构旋转的上述基板的被处理面的中心供给挥发性溶媒的工序；

第2移动工序，在上述处理液被从上述第1喷嘴向上述基板的被处理面的中心附近的位置供给、上述挥发性溶媒被从上述第2喷嘴向上述基板的被处理面的中心供给的状态下，通过上述位置移动部使上述处理液供给位置沿着从上述基板的被处理面的中心朝外的方向移动。

7.如权利要求6所述的基板处理方法，其特征在于，

上述中心附近的位置被设定为从上述第1喷嘴供给到上述中心附近的位置的上述处理液扩展到通过上述旋转机构而旋转的上述基板的被处理面的中心的位置。

8.如权利要求6所述的基板处理方法，其特征在于，

在上述第2移动工序中，与从上述第2喷嘴供给到上述基板的被处理面上的上述挥发性溶媒的扩展相对应地使上述处理液供给位置沿着从上述基板的被处理面的中心朝外的方向移动。

9.如权利要求6～8中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

还具有如下工序：在上述处理液被从上述第1喷嘴供给到上述基板的被处理面的中心附近的位置、上述挥发性溶媒被从上述第2喷嘴供给到上述基板的被处理面的中心的状态持续了规定时间的情况下，在进行上述第2移动工序之前，通过上述旋转机构将上述基板的转速降低而继续上述基板的旋转；

在上述第2移动工序中，上述基板以被上述旋转机构降低后的上述基板的转速旋转的状态下，使上述处理液供给位置沿着从上述基板的被处理面的中心朝外的方向移动。