[发明专利]基板处理装置及基板处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及基板处理装置及基板处理方法。

背景技术

基板处理装置是在半导体或液晶面板等的制造工序中将晶片或液晶基板等的基板的被处理面用药液处理、将药液处理后的基板的被处理面用漂洗液冲洗、将漂洗液处理后的基板干燥的装置。在该干燥工序中，通过近年来的半导体的伴随着高集成化及高容量化的微细化，例如发生存储单元或栅极周围的图案破坏的问题。这起因于图案彼此的间隔及构造、漂洗液的表面张力等。

所以，为了抑制上述的图案破坏，提出了使用表面张力比漂洗液即漂洗用的处理液(例如DIW：超纯水)小的挥发性溶媒(例如IPA：2－丙醇，异丙醇)的基板干燥方法。该基板干燥方法是将基板的被处理面上的处理液替换为挥发性溶媒而进行基板干燥的方法，被在量产工厂等中使用。在该置换工序中，为了避免干燥不匀等的干燥不良，需要在将基板的被处理面用液膜覆盖的同时，将基板的被处理面上的处理液置换为挥发性溶媒。

但是，在置换工序中，难以在将基板的被处理面用液膜覆盖的同时，迅速地将基板的被处理面上的处理液置换为挥发性溶媒。例如，基板在水平状态下旋转，且相对于基板的被处理面的中心(例如，如果是圆形基板则是指中心，如果是矩形基板则是指对角线的交点。以下相同。)从斜向供给处理液的状态下，相对于该基板的被处理面的中心从正上方供给挥发性溶媒。并且，在从挥发性溶媒的供给开始起几秒后，将处理液的供给停止，将基板的被处理面上的处理液置换为挥发性溶媒。此时，基板的被处理面上的液膜不会中断，基板的被处理面被液膜覆盖。

但是，在上述置换工序中，在挥发性溶媒的供给开始后几秒钟将处理液供给到基板的被处理面的中心。因此，通过处理液的供给，阻碍了被供给到基板的被处理面的中心的挥发性溶媒扩展到基板的被处理面的整体上、即挥发性溶媒的扩展。因而，难以迅速地将基板的被处理面上的处理液置换为挥发性溶媒，从处理液到向挥发性溶媒的置换完成为止需要时间。因此，希望将基板的被处理面上的处理液置换为挥发性溶媒的置换效率提高。

发明内容

本发明的目的是提供一种能够使将基板的被处理面上的处理液置换为挥发性溶媒的置换效率提高的基板处理装置及基板处理方法。

有关本发明的实施方式的基板处理装置具备：旋转机构，使具有被处理面的基板在平面内旋转；第1喷嘴，向通过旋转机构旋转的基板的被处理面供给处理液；第2喷嘴，向通过旋转机构旋转的基板的被处理面的中心供给挥发性溶媒；位置移动部，在处理液被从第1喷嘴向基板的被处理面的中心供给的状态下，使基板的被处理面上的被供给处理液的处理液供给位置从基板的被处理面的中心向中心附近的位置移动，在处理液被从第1喷嘴向基板的被处理面的中心附近的位置供给、挥发性溶媒被从第2喷嘴向基板的被处理面的中心供给的状态下，使上述处理液供给位置沿着从基板的被处理面的中心朝外的方向移动。

有关本发明的实施方式的基板处理方法具有：通过旋转机构使具有被处理面的基板在平面内旋转的工序；从第1喷嘴向通过旋转机构旋转的基板的被处理面的中心供给处理液的工序；第1移动工序，在处理液被从第1喷嘴向基板的被处理面的中心供给的状态下，通过位置移动部使基板的被处理面上的被供给处理液的处理液供给位置从基板的被处理面的中心向中心附近的位置移动；在处理液被从第1喷嘴供给到基板的被处理面的中心附近的位置的状态下、从第2喷嘴向通过旋转机构旋转的基板的被处理面的中心供给挥发性溶媒的工序；第2移动工序，在处理液被从第1喷嘴向基板的被处理面的中心附近的位置供给、挥发性溶媒被从第2喷嘴向基板的被处理面的中心供给的状态下，通过位置移动部使上述处理液供给位置沿着从基板的被处理面的中心朝外的方向移动。

根据有关上述实施方式的基板处理装置或基板处理方法，能够使将基板的被处理面上的处理液置换为挥发性溶媒的置换效率提高。

附图说明

图1是表示有关第1实施方式的基板处理装置的概略结构的图。

图2是表示有关第1实施方式的基板处理装置的一部分的平面图。

图3是用来说明有关第1实施方式的基板处理工序的图。

图4是用来说明有关第1实施方式的基板处理工序的一工序的图。

图5是用来说明有关第1实施方式的基板处理工序的一工序的图。

图6是用来说明有关第1实施方式的基板处理工序的比较例的图。

图7是用来说明有关第2实施方式的基板处理工序的图。

图8是用来说明有关第3实施方式的基板处理工序的一工序的图。