[发明专利]接口单元输入电路有效

专利信息
申请号: 201710903829.6 申请日: 2017-09-29
公开(公告)号: CN107809233B 公开(公告)日: 2021-08-20
发明(设计)人: 吕斌 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: H03K19/0175 分类号: H03K19/0175
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 焦天雷
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 接口 单元 输入 电路
【权利要求书】:

1.一种接口单元输入电路,其特征在于,包括:第一钳位器件、第二钳位器件、第一电阻、高压选择电路和中间电压选择电路;

第一钳位器件和第二钳位器件串联;

第一钳位器件其第一端连接第一电阻连接的一端,第一电阻的另一端作为该接口单元输入电路第一端,第一钳位器件其第二端连接高压选择电路第三端,第一钳位器件其第三端连接第二钳位器件第一端;

第二钳位器件其第二端连接电源电压,第二钳位器件其第三端作为该接口单元输入电路第二端;

中间电压选择电路第一端连接第一钳位器件第一端,中间电压选择电路第二端接地;

高压选择电路其第一端连接中间电压选择电路第三端,高压选择电路其第二端连接电源电压。

2.如权利要求1所述的接口单元输入电路,其特征在于:第一钳位器件和第二钳位器件是NMOS。

3.如权利要求2所述的接口单元输入电路,其特征在于:NMOS的源极是第一端,NMOS栅极是第二端,NMOS漏极是第三端。

4.如权利要求1所述的接口单元输入电路,其特征在于:中间电压选择电路包括有N个源漏的NMOS组成的NMOS串和第二电阻;

NMOS串中每个NMOS栅漏相连,该NMOS串的第一个NMOS的漏极作为该中间电压电路的第一端,该NMOS串的最后一个NMOS的源极做为该中间电压电路的第三端;

该NMOS串的最后一个NMOS的源极通过第二电阻接地,第二电阻接地端作为中间电压电路的第二端。

5.如权利要求1所述的接口单元输入电路,其特征在于:中间电压选择电路包括第一稳压器件和第二电阻;

稳压器件第一端作为该中间电压电路的第一端,稳压器件第二端作为该中间电压电路的第三端,稳压器件第二端通过第二电阻接地,第二电阻接地端作为中间电压电路的第二端。

6.如权利要求5所述的接口单元输入电路,其特征在于:稳压器件是齐纳二极管,该齐纳二极管负极作为稳压器件的第一端,该齐纳二极管的正极作为稳压器件的第二端。

7.如权利要求4或5所述的接口单元输入电路,其特征在于:第二电阻大于等于5M欧姆。

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