[发明专利]接口单元输入电路有效
申请号: | 201710903829.6 | 申请日: | 2017-09-29 |
公开(公告)号: | CN107809233B | 公开(公告)日: | 2021-08-20 |
发明(设计)人: | 吕斌 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H03K19/0175 | 分类号: | H03K19/0175 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 焦天雷 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接口 单元 输入 电路 | ||
本发明公开了一种接口单元输入电路,包括:第一钳位器件和第二钳位器件串联;第一钳位器件其第一端连接第一电阻连接的一端,第一电阻的另一端作为该接口单元输入电路第一端,第一钳位器件其第二端连接高压选择电路第三端,第一钳位器件其第三端连接第二钳位器件第一端;第二钳位器件其第二端连接电源电压,第二钳位器件其第三端作为该接口单元输入电路第二端;中间电压选择电路第一端连接第一钳位器件第一端,中间电压选择电路第二端接地;高压选择电路其第一端连接中间电压选择电路第三端,高压选择电路其第二端连接电源电压。本发明与现有技术相比具有更高压容差,适用工作电压范围更广。
技术领域
本发明涉及半导体领域,特别是涉及一种接口单元(IO)输入电路。
背景技术
通常高压容差的接口单元输入电路如图1所示。主要在输入反向器和PAD之间加上一个NMOS管MM1,NMOS管MM1的gate电压为电源电压VCC,此时当PAD电压超过电源电压VCC的时候,由于NMOS管MM1的存在,输入反向器gate端的电压也不会超过VCC,这样MOS的gate端就避免了可靠性问题,提高设备的可靠性。
现在许多产品的工作电压VCC越来越低,而某些情况下PAD上的电压又比较高,那么NMOS管MM1的gate端和drain端之间的电压差就超过了它可靠性范围内所承受的最大值,这就导致了在这种特殊的情况下现有接口单元输入电路存在可靠性问题。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种与现有技术相比具有更高压容差,适用工作电压范围更广的接口单元输入电路。
为解决上述技术问题,本发明提供的接口单元输入电路,包括:第一钳位器件、第二钳位器件、第一电阻、高压选择电路和中间电压选择电路;
第一钳位器件和第二钳位器件串联;
第一钳位器件其第一端连接第一电阻连接的一端,第一电阻的另一端作为该接口单元输入电路第一端,第一钳位器件其第二端连接高压选择电路第三端,第一钳位器件其第三端连接第二钳位器件第一端;
第二钳位器件其第二端连接电源电压,第二钳位器件其第三端作为该接口单元输入电路第二端;
中间电压选择电路第一端连接第一钳位器件第一端,中间电压选择电路第二端接地;
高压选择电路其第一端连接中间电压选择电路第三端,高压选择电路其第二端连接电源电压。
进一步改进所述的接口单元输入电路,其中:第一钳位器件和第二钳位器件是NMOS。
进一步改进所述的接口单元输入电路,其中:NMOS的源极是第一端,NMOS栅极是第二端,NMOS漏极是第三端。
进一步改进所述的接口单元输入电路,其中:中间电压选择电路包括有N个源漏的NMOS组成的NMOS串和第二电阻;
NMOS串中每个NMOS栅漏相连,该NMOS串的第一个NMOS的漏极作为该中间电压电路的第一端,该NMOS串的最后一个NMOS的源极做为该中间电压电路的第三端;
该NMOS串的最后一个NMOS的源极通过第二电阻接地,第二电阻接地端作为中间电压电路的第二端。
进一步改进所述的接口单元输入电路,其中:中间电压选择电路包括第一稳压器件和第二电阻;
稳压器件第一端作为该中间电压电路的第一端,稳压器件第二端作为该中间电压电路的第三端,稳压器件第二端通过第二电阻接地,第二电阻接地端作为中间电压电路的第二端。
进一步改进所述的接口单元输入电路,其中:稳压器件是齐纳二极管,该齐纳二极管负极作为稳压器件的第一端,该齐纳二极管的正极作为稳压器件的第二端。
其中,第二电阻为大电阻,第二电阻大于等于5M欧姆。
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