[发明专利]掩膜装置、蒸镀设备及蒸镀方法在审
| 申请号： | 201710904796.7 | 申请日： | 2017-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN107435130A | 公开（公告）日： | 2017-12-05 |
| 发明（设计）人： | 刘耀阳;徐健 | 申请（专利权）人： | 上海天马微电子有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/04 | 分类号： | C23C14/04;C23C14/24 |
| 代理公司： | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司11444 | 代理人： | 王刚,龚敏 |
| 地址： | 201201 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 装置 设备 方法 | ||
1.一种掩膜装置，其特征在于，包括框架，所述框架包括：
外框架；以及
内框架，所述内框架设置于所述外框架的内部；
其中，所述外框架与所述内框架为一体成型结构。
2.根据权利要求1所述的掩膜装置，其特征在于，还包括掩膜板；
所述框架包括相对的第一侧面和第二侧面；
所述掩膜板固定于所述框架的所述第一侧面。
3.根据权利要求2所述的掩膜装置，其特征在于，所述内框架包括至少一个第一支撑杆，在平行于所述掩膜板所在的平面上具有第一方向和第二方向，所述第一方向垂直于所述第二方向，
所述第一支撑杆沿所述第一方向延伸。
4.根据权利要求3所述的掩膜装置，其特征在于，所述内框架还包括至少一个第二支撑杆，所述第二支撑杆的两端固定于所述外框架，所述第二支撑杆沿所述第二方向延伸。
5.根据权利要求4所述的掩膜装置，其特征在于，所述第一支撑杆上与所述第二支撑杆交叉的部位开设有第一凹槽，所述第二支撑杆穿过所述第一凹槽。
6.根据权利要求5所述的掩膜装置，其特征在于，所述第二支撑杆上与所述第一支撑杆交叉的部位开设有第二凹槽，所述第一支撑杆穿过所述第二凹槽。
7.根据权利要求3所述的掩膜装置，其特征在于，所述外框架为矩形，
在垂直于所述掩膜板所在平面的方向上，所述第一支撑杆的最大尺寸为δ1，其中25mm≥δ1≥1mm。
8.根据权利要求7所述的掩膜装置，其特征在于，20mm≥δ1≥5mm。
9.根据权利要求7所述的掩膜装置，其特征在于，在所述第二方向上，所述第一支撑杆的最大尺寸为δ2，其中δ2≥5mm。
10.根据权利要求4所述的掩膜装置，其特征在于，在垂直于所述掩膜板所在平面的方向上，所述第二支撑杆的最大尺寸为δ3，其中25mm≥δ3≥1mm。
11.根据权利要求10所述的掩膜装置，其特征在于，在所述第二方向上，所述第二支撑杆的最大尺寸为δ4，其中δ4≥3mm。
12.根据权利要求4所述的掩膜装置，其特征在于，在垂直于所述掩膜板所在平面的方向上，所述第一支撑杆的最大尺寸δ1等于所述第二支撑杆的最大尺寸为δ3。
13.一种蒸镀设备，包含如权利要求1-12任一项所述的掩膜装置，其特征在于，还包括：
阵列基板，用于接受蒸镀；
以及蒸发源。
14.一种蒸镀方法，其特征在于，利用如权利要求13所述的蒸镀设备进行蒸镀，包括以下步骤：
提供框架，所述框架包括一体成型的内框架和外框架，所述框架包括相对的第一侧面和第二侧面；
提供掩膜板，将所述掩膜板对位并固定于所述框架的所述第一侧面；
提供阵列基板，所述阵列基板设置于所述掩膜板远离所述框架的一侧；
提供蒸发源，所述蒸发源设置于所述框架远离所述阵列基板的一侧；
加热所述蒸发源，对所述阵列基板进行蒸镀。
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