[发明专利]半导体器件和半导体封装件

说明书

本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括：增强型第一p沟道型MISFET；增强型第二p沟道型MISFET；与所述第一p沟道型MISFET和所述第二p沟道型MISFET的漏极公共地电连接的漏极导体；与所述第一p沟道型MISFET的源极电连接的第一源极导体；与所述第二p沟道型MISFET的源极电连接的第二源极导体；和与所述第一p沟道型MISFET和所述第二p沟道型MISFET的栅极公共地电连接的栅极导体。由此能够提供常导通型的可实现元件的小型化的半导体器件。

本申请与2016年9月30日向日本特许厅提交的日本专利申请特愿2016-194316号、2016年9月30日向日本特许厅提交的日本专利申请特愿2016-194317号和2017年8月22日向日本特许厅提交的日本专利申请特愿2017-159596号对应，在此援引这些申请的全部公开内容。

技术领域

本发明涉及半导体器件和半导体封装件。

背景技术

在现有技术中，作为常导通(normally on)型半导体元件，已知有JFET(Junctiongate Field Effect Transistor：结栅场效应晶体管)。

例如，专利文献1(日本特开2011-166673号公报)公开了以与MOSFET组合的方式使用的SiC-JFET。

另外，专利文献2(日本特开2014-123665号公报)公开了一种半导体封装件，该半导体封装件包括半导体芯片、搭载半导体芯片的台、栅极引线、源极引线、漏极引线、接合线和密封树脂。

常导通型的JFET，利用因施加电压而在半导体层内扩展的耗尽层来切断半导体层中流动的电流。通过适当地设计耗尽层的扩展宽度，能够确保可靠地切断电流。因此，在JFET中，必须优先考虑耗尽层的扩展宽度，降低半导体层的杂质浓度(沟道浓度)，这样的结果是导致每单位长度的电阻比较高。另外，作为常导通型的半导体元件，还存在耗尽型MOSFET，但是同样由于优先考虑耗尽层的扩展宽度这样的理由，妨碍了半导体层的电阻的降低。

考虑到这样的背景，在JFET和耗尽型MOSFET中，为了降低导通电阻而需要大幅确保电流路径。因此，难以将元件小型化后使用。

发明内容

本发明的目的是提供一种常导通型的能够实现元件的小型化的半导体器件和半导体封装件。

另外，虽然如专利文献2那样地在现有技术中提案有各种各样的半导体封装件，但是今后伴随便携式终端的需要，要求更小型化的晶体管。

本发明的另一目的是提供与现有技术相比特别小型化的半导体器件。

本发明的一个实施方式的半导体器件包括：增强型的第一p沟道型MISFET；增强型的第二p沟道型MISFET；与上述第一p沟道型MISFET和上述第二p沟道型MISFET的漏极公共地电连接的漏极导体；与上述第一p沟道型MISFET的源极电连接的第一源极导体；与上述第二p沟道型MISFET的源极电连接的第二源极导体；和与上述第一p沟道型MISFET和上述第二p沟道型MISFET的栅极公共地电连接的栅极导体。