[发明专利]数据读取方法以及存储控制器

权利要求书

1.一种数据读取方法，适用于配置有可复写式非易失性存储器模块的存储装置，其中所述可复写式非易失性存储器模块具有多个实体单元，其中所述多个实体单元的每一个实体单元包括多个存储单元，所述方法包括：

选择所述多个实体单元中的第一实体单元，并且识别对应所述第一实体单元的多个第一存储单元的多个预设比特值，其中所述多个预设比特值包括所述可复写式非易失性存储器模块的所有存储单元的每一个存储单元可具有的不同的多个存储状态；

利用预设读取电压组的多个预设读取电压分别读取所述多个第一存储单元，以获得所述多个第一存储单元所存储的多个读取比特值，其中所述多个预设读取电压的总数为所述多个存储状态的总数减一，并且所述多个预设读取电压分别用以区分所述多个存储状态；

根据对应所述多个第一存储单元的所读取的所述多个读取比特值与所识别的所述多个预设比特值来调整所述预设读取电压组的所述多个预设读取电压，以获得最佳化读取电压组；以及

使用所述最佳化读取电压组对所述第一实体单元执行读取指令序列。

2.根据权利要求1所述的数据读取方法，其中上述根据对应所述多个第一存储单元的所读取的所述多个读取比特值与所识别的所述多个预设比特值来调整所述预设读取电压组的所述多个预设读取电压，以获得所述最佳化读取电压组的步骤包括：

根据对应所述多个第一存储单元的所读取的所述多个读取比特值与所识别的所述多个预设比特值来获得分别对应所述多个预设读取电压的多个总偏移值；

根据所述多个预设读取电压的所述多个总偏移值来计算分别对应所述预设读取电压组的所述多个预设读取电压的多个偏移电压；以及

将所述多个预设读取电压分别加上所对应的所述多个偏移电压，以获得所述最佳化读取电压组的多个最佳化读取电压。

3.根据权利要求2所述的数据读取方法，其中上述根据对应所述多个第一存储单元的所读取的所述多个读取比特值与所识别的所述多个预设比特值来获得分别对应所述多个预设读取电压的所述多个总偏移值的步骤包括：

选择所述多个预设读取电压中尚未被选择的预设读取电压，其中所述预设读取电压用以区分所述多个存储状态中两个邻近的第一存储状态与第二存储状态的临界电压分布；

识别所述多个预设比特值中为所述第一存储状态的第一预设比特值与所述多个第一存储单元中对应所述第一预设比特值的多个第二存储单元；

识别所述多个读取比特值中从所述多个第二存储单元所读取的多个第一读取比特值；

计算所述多个第一读取比特值中为第二存储状态的一或多个第二读取比特值的总数为第一数值；

识别所述多个预设比特值中为所述第二存储状态的第二预设比特值与所述多个第一存储单元中对应所述第二预设比特值的多个第三存储单元；

识别所述多个读取比特值中从所述多个第三存储单元所读取的多个第三读取比特值；

计算所述多个第三读取比特值中为第一存储状态的一或多个第四读取比特值的总数为第二数值；以及

将所述第一数值减去所述第二数值所获得的差值作为对应所选择的所述预设读取电压的所述总偏移值。

4.根据权利要求3所述的数据读取方法，其中上述根据所述多个预设读取电压的所述多个总偏移值来计算分别对应所述预设读取电压组的所述多个预设读取电压的所述多个偏移电压的步骤包括：

对于所述多个总偏移值的每一个总偏移值，根据所述总偏移值与多个偏移门槛值，从多个标准化常数中识别出对应所述总偏移值的一个标准化常数；以及

将所述总偏移值除以所识别的所述标准化常数所获得的商值乘以单位偏移电压值，以获得对应所述总偏移值的偏移电压。

5.根据权利要求1所述的数据读取方法，所述方法还包括：

根据所述可复写式非易失性存储器模块的所述多个实体单元的统计值划分所述多个实体单元至多个实体单元组，其中所述第一实体单元被划分至所述多个实体单元组中的第一实体单元，其中所述统计值包括抹除次数值，读取次数值与久存值的其中的一或其组合；以及

使用所述最佳化读取电压组对划分至所述第一实体单元组的其他的一或多个第二实体单元执行另一读取指令序列。