[发明专利]数据读取方法以及存储控制器在审
申请号: | 201710907831.0 | 申请日: | 2017-09-29 |
公开(公告)号: | CN109584935A | 公开(公告)日: | 2019-04-05 |
发明(设计)人: | 萧又华 | 申请(专利权)人: | 大心电子(英属维京群岛)股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/26 | 分类号: | G11C16/26;G11C16/06;G11C16/34 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马雯雯;臧建明 |
地址: | 维尔京群岛托托拉岛路德镇法兰西斯*** | 国省代码: | 维尔京群岛;VG |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 读取 存储单元 读取电压 预设 存储控制器 实体单元 数据读取 最佳化 非易失性存储器模块 读取指令 可复写式 | ||
本发明提供适用于可复写式非易失性存储器模块的一种数据读取方法以及存储控制器。所述方法包括识别对应第一实体单元的多个第一存储单元的多个预设比特值;利用多个预设读取电压分别读取所述多个第一存储单元,以获得对应所述多个第一存储单元的多个读取比特值;根据对应所述多个第一存储单元的所读取的所述多个读取比特值与所识别的所述多个预设比特值来调整所述多个预设读取电压,以获得多个最佳化读取电压;以及使用所述多个最佳化读取电压对所述第一实体单元执行读取指令序列。
技术领域
本发明涉及一种数据读取方法,尤其涉及一种适用于配置有可复写式非易失性存储器模块的存储装置的数据读取方法以及存储控制器。
背景技术
一般来说,在对可复写式非易失性存储器模块读取数据时,若页面读取失败的情况没有发生,系统会使用预设读取电压组或的前用过的最佳读取电压组来读取数据。直到读取失败的情况发生,系统(存储系统)才会不使用预设读取电压组或已用过的最佳电压,并且对应地调整读取电压组。
换句话说,可复写式非易失性存储器模块的最佳读取电压组值并不会是固定的。然而,传统上调整读取电压组以获得最佳读取电压组来读取数据的作法是被动的,即,仅当读取失败的情况发生时,才使用不同电压值的读取电压组来对该笔数据重新进行多次的读取操作,以由多次读取操作后的结果来找出最佳读取电压组。但是,多次的读取数据操作会严重影响数据读取的效率(增加读取到正确数据的时间),降低数据存取的速度。
因此,如何主动地在执行读取操作的前,便计算出对应所述读取操作的所欲读取数据的最佳读取电压组,以改善传统上需要利用多次读取操作的缺陷且降低所读取数据的错误率,进而提升可复写式非易失性存储器模块的读取效率,是本领域人员研究的课题之一。
发明内容
本发明提供一种数据读取方法与存储控制器,可主动地根据可复写式非易失性存储器模块中对应读取指令的实体单元的信息来对应地调整预设读取电压组的多个电压值,以获得最佳读取电压组,进而有效率地经由最佳读取电压组的多个最佳读取电压来执行所述读取指令并且降低所读取的数据的错误率。
本发明的一实施例提供适用于配置有可复写式非易失性存储器模块的存储装置的一种数据读取方法,其中所述可复写式非易失性存储器模块具有多个实体单元,其中所述多个实体单元的每一个实体单元包括多个存储单元。所述方法包括选择所述多个实体单元中的第一实体单元,并且识别对应所述第一实体单元的多个第一存储单元的多个预设比特值,其中所述多个预设比特值包括所述可复写式非易失性存储器模块的所有存储单元的每一个存储单元可具有的不同的多个存储状态;利用预设读取电压组的多个预设读取电压分别读取所述多个第一存储单元,以获得对应所述多个第一存储单元的多个读取比特值,其中所述多个预设读取电压的总数为所述多个存储状态的总数减一,并且所述多个预设读取电压分别用以区分所述多个存储状态;根据对应所述多个第一存储单元的所读取的所述多个读取比特值与所识别的所述多个预设比特值来调整所述预设读取电压组的所述多个预设读取电压,以获得最佳化读取电压组;以及使用所述最佳化读取电压组对所述第一实体单元执行读取指令序列。
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