[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括第一区和与第一区连接的第二区，所述第一区和第二区基底上分别具有若干鳍部；

在所述第一区鳍部内形成第一源漏掺杂区；

在所述第二区鳍部的侧壁形成第一保护层；

在所述第二区鳍部内形成第二源漏掺杂区，所述第二源漏掺杂区的侧壁覆盖第一保护层；

在所述基底上形成介质层，所述介质层内具有由第一区延伸至第二区的开口，所述开口底部暴露出第一保护层的侧壁、第二源漏掺杂区的顶部表面、以及第一源漏掺杂区的侧壁和顶部表面；

在所述开口底部的第一源漏掺杂区的侧壁和顶部表面、以及第二源漏掺杂区的顶部表面形成第一金属硅化物层；

形成所述第一金属硅化物层之后，去除所述第一保护层；

去除第一保护层之后，在所述开口底部的第二源漏掺杂区的侧壁形成第二金属硅化物层。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一保护层的材料包括：氮化硅。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一保护层的厚度为：2纳米～8纳米。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一保护层的形成步骤包括：在所述基底上、第一源漏掺杂区的侧壁和顶部表面、以及第二区鳍部的侧壁和顶部表面形成第一保护膜；去除所述第二区基底和第二区鳍部顶部表面的第一保护膜，在所述第一区基底和第二区鳍部的侧壁形成第一初始保护层；去除第二区的部分所述鳍部，在所述第一初始保护层内形成第二初始源漏开口；对第二区的第一初始保护层沿平行于基底表面方向上进行减薄处理，形成第一保护层以及位于所述第一保护层内的第二源漏开口，沿平行于基底表面方向上所述第二源漏开口的尺寸大于所述第二初始源漏开口的尺寸。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一区用于形成PMOS晶体管，所述第二区用于形成NMOS晶体管。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，第一金属硅化物层的材料包括：镍硅化合物、镍铂硅化合物或铂硅化合物。

7.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，第二金属硅化物层的材料包括：钛硅化合物。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一金属硅化物层的形成步骤包括：在所述开口内形成第一金属层；进行退火处理，使第一金属层与第一源漏掺杂区的侧壁和顶部表面、以及第二源漏掺杂区的顶部表面反应形成第一金属硅化物层；形成所述第一金属硅化物层之后，去除未反应的第一金属层。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二金属硅化物层的形成步骤包括：在所述开口内形成第二金属层；进行退火处理，使第二金属层与第二源漏掺杂区的侧壁反应形成第二金属硅化物层；形成所述第二金属硅化物层之后，去除未反应的第二金属层。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成第二金属硅化物层之后，所述形成方法还包括：在所述开口内形成插塞。

11.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括第一区和与第一区连接的第二区，所述第一区和第二区基底上分别具有若干鳍部；

位于所述第一区鳍部内的第一源漏掺杂区；

位于所述第二区鳍部内的第二源漏掺杂区；

位于所述基底上的介质层，所述介质层内具有由第一区延伸至第二区的开口，所述开口底部暴露出第一源漏掺杂区和第二源漏掺杂区的侧壁和顶部表面；

位于开口底部第二源漏掺杂区顶部表面、以及第一源漏掺杂区侧壁和顶部表面的第一金属硅化物层；

位于开口底部第二源漏掺杂区侧壁的第二金属硅化物层。