[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，基底包括第一区和与第一区连接的第二区，第一区和第二区基底上分别具有若干鳍部；在第一区鳍部内形成第一源漏掺杂区；在第二区鳍部侧壁形成第一保护层；在第二区鳍部内形成第二源漏掺杂区，第二源漏掺杂区侧壁覆盖第一保护层；在基底上形成介质层，介质层内具有由第一区延伸至第二区的开口，开口暴露出第一保护层侧壁、第二源漏掺杂区顶部、以及第一源漏掺杂区侧壁和顶部；在开口底部形成第一金属硅化物层；形成第一金属硅化物层后，去除第一保护层；去除第一保护层后，在开口底部第二源漏掺杂区侧壁形成第二金属硅化物层。所形成的半导体器件性能好。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

背景技术

互补式金属氧化物半导体(CMOS)晶体管作为半导体制造中的最基本器件，常被广泛适用于各种集成电路中。根据主要载流子以及制造时的掺杂类型不同，将互补式金属氧化物半导体分为NMOS晶体管和PMOS晶体管。所述NMOS晶体管包括：第一源漏掺杂区，PMOS晶体管包括第二源漏掺杂区。

现有互补式金属氧化物半导体工艺中，为了改善第一源漏掺杂区与第一源漏掺杂区上第一导电插塞的接触电阻、以及第二源漏掺杂区与第二源漏掺杂区上第二导电插塞的接触电阻，通常同时在第一源漏掺杂区和第二源漏掺杂区的表面形成金属硅化物层。

然而，现有技术形成的所述金属硅化物层的难度较大。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种半导体结构的形成方法，以形成第一金属硅化物层和第二金属硅化物层，分别满足NMOS晶体管和PMOS晶体管的性能要求。

为解决上述技术问题，本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括第一区和与第一区连接的第二区，所述第一区和第二区基底上分别具有若干鳍部；在所述第一区鳍部内形成第一源漏掺杂区；在所述第二区鳍部的侧壁形成第一保护层；在所述第二区鳍部内形成第二源漏掺杂区，所述第二源漏掺杂区的侧壁覆盖第一保护层；在所述基底上形成介质层，所述介质层内具有由第一区延伸至第二区的开口，所述开口底部暴露出第一保护层的侧壁、第二源漏掺杂区的顶部表面、以及第一源漏掺杂区的侧壁和顶部表面；在所述开口底部的第一源漏掺杂区的侧壁和顶部表面、以及第二源漏掺杂区的顶部表面形成第一金属硅化物层；形成所述第一金属硅化物层之后，去除所述第一保护层；去除所述第一保护层之后，在所述开口底部的第二源漏掺杂区的侧壁形成第二金属硅化物层。

可选的，所述第一保护层的材料包括：氮化硅。

可选的，所述第一保护层的厚度为：2纳米～8纳米。

可选的，所述第一保护层的形成步骤包括：在所述基底上、第一源漏掺杂区的侧壁和顶部表面、以及第二区鳍部的侧壁和顶部表面形成第一保护膜；去除所述第二区基底和第二区鳍部顶部表面的第一保护膜，在所述第一区基底和第二区鳍部的侧壁形成第一初始保护层；对第二区鳍部侧壁的第一初始保护层沿平行于基底表面方向上进行减薄处理，在第二区鳍部侧壁形成第一保护层。

可选的，所述第一区用于形成PMOS晶体管，所述第二区用于形成NMOS晶体管。

可选的，第一金属硅化物层的材料包括：镍硅化合物、镍铂硅化合物或铂硅化合物。可选的，第二金属硅化物层的材料包括：钛硅化合物。

可选的，所述第一金属硅化物层的形成步骤包括：在所述接触孔内形成第一金属层；进行退火处理，使第一金属层与第一源漏掺杂区的侧壁和顶部表面、以及第二源漏掺杂区的顶部表面反应形成第一金属硅化物层；形成所述第一金属硅化物层之后，去除未反应的第一金属层。

可选的，所述第二金属硅化物层的形成步骤包括：在所述接触孔内形成第二金属层；进行退火处理，使第二金属层与第二源漏掺杂区的侧壁反应形成第二金属硅化物层；形成所述第二金属硅化物层之后，去除未反应的第二金属层。