[发明专利]具有耐磨氧化铝镀膜层的钢化玻璃的制备方法在审
申请号: | 201710909096.7 | 申请日: | 2017-09-29 |
公开(公告)号: | CN107793041A | 公开(公告)日: | 2018-03-13 |
发明(设计)人: | 周光惠;夏永光;彭军 | 申请(专利权)人: | 广东星弛光电科技有限公司 |
主分类号: | C03C17/34 | 分类号: | C03C17/34 |
代理公司: | 东莞市华南专利商标事务所有限公司44215 | 代理人: | 刘克宽 |
地址: | 523330 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 耐磨 氧化铝 镀膜 钢化玻璃 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及钢化玻璃镀膜技术领域,具体涉及具有耐磨氧化铝镀膜层的钢化玻璃的制备方法。
背景技术
随着电子产品的飞速发展,智能手机等移动终端对玻璃面板的耐磨特性和透光特性要求越来越高。对玻璃面板进行高硬度、高透过率的镀膜将是实现高防刮划、高透过率、低成本智能手机面板的有效途径。目前,作为高硬镀膜技术而广泛研究和应用的是类金刚石碳膜,它具有硬度高、化学惰性、低摩擦系数等优点。根据制备条件的不同,报道的硬度值在(3~60GPa)。但是在红外区具有很高的透过率,但是在可见光区域通常是吸收的,只能是一种半透明的薄膜,不能满足智能手机面板对透过率的要求。据文献报道,氧化铝的多晶薄膜具有与单晶蓝宝石相近的硬度,而具有高度热稳定性氧化铝多晶结构的制备温度一般需要1000度左右的高温,但是手机钢化玻璃的温度一旦高于500度,其钢化特性将被破坏而失效。
发明内容
针对现有技术存在上述技术问题,本发明的目的在于提供一种高硬度、防刮、耐磨以及透光率好的具有耐磨氧化铝镀膜层的钢化玻璃的制备方法。
为实现上述目的,本发明提供以下技术方案:
提供具有耐磨氧化铝镀膜层的钢化玻璃的制备方法,包括以下步骤:
a)将钢化玻璃衬底依次采用有机溶剂、去离子水清洗,然后烘干;
b)利用MOCVD技术,以纯度为99.995%以上的二茂镁为镁源,高纯氧或者去离子水为氧源,在一定反应温度下,在钢化玻璃衬底上生长具有多晶结构的氧化镁薄膜层;
c)利用ALD技术,以纯度为99.995%以上的三甲基铝为铝源,以氮气或氩气为载气,在一定反应温度下,在所述氧化镁薄膜层上外延生长形成氧化铝薄膜层;
d)在所述氧化铝薄膜层的表面均匀涂覆二氧化钛溶胶,然后固化后形成低折射率的二氧化钛增透光镀膜层。
其中,步骤b中,反应温度为300~400℃,所述氧化镁薄膜层的厚度为10~20nm。
其中,步骤b中,反应温度为250~350℃,所述氧化铝薄膜层的厚度为60~150nm。
其中,步骤b中,步骤d中,所述二氧化钛增透光镀膜层的厚度为100~150nm。
其中,步骤d中,所述固化的温度为300~350℃。
其中,步骤d中,所述二氧化钛增透光镀膜层的折光率为1.35~1.55。
其中,步骤a中,所述有机溶剂为乙醇、异丙醇、乙二醇、乙二醇双乙醚、丁二醇单乙醚和丙酮中的至少一种。
本发明的有益效果:
本发明的具有耐磨氧化铝镀膜层的钢化玻璃的制备方法,包括步骤:a)将钢化玻璃衬底依次采用有机溶剂、去离子水清洗,然后烘干;b)利用MOCVD技术,以纯度为99.995%以上的二茂镁为镁源,高纯氧或者去离子水为氧源,在一定反应温度下,在钢化玻璃衬底上生长具有多晶结构的氧化镁薄膜层;c)利用ALD技术,以纯度为99.995%以上的三甲基铝为铝源,以氮气或氩气为载气,在一定反应温度下,在所述氧化镁薄膜层上外延生长形成氧化铝薄膜层;d)在所述氧化铝薄膜层的表面均匀涂覆二氧化钛溶胶,然后固化后形成低折射率的二氧化钛增透光镀膜层。与现有技术相比,本发明采用MOCVD技术,在玻璃衬底上生长具有多晶结构的氧化镁薄膜层,然后采用ALD沉积技术在较低温度下,在氧化镁薄膜层上外延生长形成氧化铝薄膜层,最后在氧化铝薄膜层制备低折射率的二氧化钛增透光镀膜层。上述过程中,所形成的氧化镁薄膜和氧化铝薄膜均具有高致密性,可增强钢化玻璃表面的硬度,提高耐刮划、耐磨特性,而且薄膜的均匀性好、厚度可精确控制;最上层的低折射率的二氧化钛增透光镀膜层具有低折射率,大大提高钢化玻璃的透光率。此外,本发明的整个方法简单、易于操作,更好地满足连续批量化的生产需求。
具体实施方式
以下结合具体实施例对本发明进行详细说明。
实施例1:
具有耐磨氧化铝镀膜层的钢化玻璃的制备方法,包括以下步骤:
a)将钢化玻璃衬底依次采用有机溶剂、去离子水清洗,然后烘干;有机溶剂为乙醇和异丙醇按照体积比1:1配制的混合液;
b)利用MOCVD技术,以纯度为99.995%以上的二茂镁为镁源,高纯氧或者去离子水为氧源,在300℃反应温度下,在钢化玻璃衬底上生长具有多晶结构的氧化镁薄膜层;
c)利用ALD技术,以纯度为99.995%以上的三甲基铝为铝源,以氮气或氩气为载气,在250℃反应温度下,在氧化镁薄膜层上外延生长形成氧化铝薄膜层;
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