[发明专利]一种可用于深紫外极弱光探测高纯纳米结构ZnGa2O4的制备方法

权利要求书

1.一种可用于深紫外极弱光探测高纯纳米结构ZnGa₂O₄的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、向反应容器中加入去离子水溶液，将镓源靶材置于去离子水中，采用磁力搅拌器始终保持去离子水均匀搅拌；所述镓源靶材为纯度大于99.99％高纯氧化镓陶瓷靶；

步骤2、调节激光器的脉冲激光光束的光路，使激光光束聚焦在去离子水中液面与靶材交界处，选取适当的激光波长、频率及能量，开启脉冲激光，对镓源靶材进行烧蚀；

步骤3、更换镓源靶材为锌源靶材，使用激光器在原溶液中继续烧蚀锌源靶；

步骤4、取出锌源靶材，调节胶体溶液pH使溶液呈碱性，获得前驱体溶液；

步骤5、将前驱体溶液转移至反应釜中并放入真空鼓风干燥箱内，设定热溶剂反应温度与时间，开始反应；

步骤6、反应结束后，待反应体系随炉冷却至室温；

步骤7、去除反应釜内衬中上层清液，将反应釜底部产物用去离子水与乙醇清洗离心，得到沉淀，所述沉淀即为所述的高纯纳米结构ZnGa₂O₄。

2.根据权利要求1所述的一种可用于深紫外极弱光探测高纯纳米结构ZnGa₂O₄的制备方法，其特征在于步骤2中激光器为Nd:YAG固体激光器，脉冲频率为10Hz，激光波长为1064nm，激光能量为70-80mJ。

3.根据权利要求1所述的一种可用于深紫外极弱光探测高纯纳米结构ZnGa₂O₄的制备方法，其特征在于步骤3中锌源靶材为纯度大于99.995％高纯金属锌靶，氧化镓陶瓷靶与锌靶烧蚀时间比为4:1～3:1。

4.根据权利要求1所述的一种可用于深紫外极弱光探测高纯纳米结构ZnGa₂O₄的制备方法，其特征在于步骤4中pH调节剂为氨水或冰醋酸和氨水的混合物，所述氨水与溶液体积比为1:15～1:30，氨水采用浓氨水，其浓度为25～28％；冰醋酸与溶液体积比为0～1:300。

5.根据权利要求1所述的一种可用于深紫外极弱光探测高纯纳米结构ZnGa₂O₄的制备方法，其特征在于步骤5中设定的温度为200～240℃，保温时间为1～15h。

6.根据权利要求1所述的一种可用于深紫外极弱光探测高纯纳米结构ZnGa₂O₄的制备方法，其特征在于，步骤7中离心转速为8000～9000r/min，离心时间为1～2min，清洗离心次数为3～6次。