[发明专利]发光装置、发光装置用封装体和发光装置的制造方法

权利要求书

1.一种发光装置，其具有发光元件和光反射材，

所述光反射材是包含母材、在所述母材上设置的非晶质层、以及在所述非晶质层上设置的含Ag层而成的，其反射由所述发光元件射出的光，

所述母材是进行了结晶化的金属，所述非晶质层是非晶质的金属，

所述非晶质层选自NiP、NiS、NiB、NiWP合金，所述含Ag层的厚度为0.05μm以上且1μm以下。

2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述非晶质层为NiP合金。

3.根据权利要求1或2所述的发光装置，其中，在所述含Ag层与所述非晶质层之间具有基底层。

4.根据权利要求3所述的发光装置，其中，所述基底层自非晶质层侧起依次层叠有Pd、Au。

5.根据权利要求1或2所述的发光装置，其还具有将所述发光元件与所述光反射材进行连接的导线，所述导线的材料为Au、Ag、Ag合金中的任一种。

6.根据权利要求1或2所述的发光装置，其中，所述发光元件安装在所述含Ag层上。

7.根据权利要求1或2所述的发光装置，其具备以露出所述含Ag层的方式填埋所述光反射材的树脂成形体。

8.根据权利要求1或2所述的发光装置，其中，所述光反射材为大致平板状且不具有弯曲部。

9.一种发光装置的制造方法，其具备：

准备光反射材的工序；

准备具备所述光反射材的封装体的工序；以及

对所述封装体安装发光元件的工序，

所述准备光反射材的工序包括：准备母材，通过镀敷对所述母材形成作为非晶质金属的非晶质层，并通过镀敷在所述非晶质层上以0.05μm以上且1μm以下的厚度形成含Ag层，所述非晶质层选自NiP、NiS、NiB、NiWP合金。

10.根据权利要求9所述的发光装置的制造方法，其中，所述非晶质层为NiP，使用NiP镀液来形成。

11.根据权利要求9或10所述的发光装置的制造方法，其中，所述非晶质层通过电解镀敷来形成。

12.根据权利要求9或10所述的发光装置的制造方法，其中，所述母材通过压延来形成。

13.一种发光装置用封装体，其具有光反射材和支承所述光反射材的基体，

所述光反射材具备母材、在所述母材上设置的非晶质层、以及在所述非晶质层上设置的含Ag层，所述光反射材反射由发光元件射出的光，

所述母材是进行了结晶化的金属，所述非晶质层是非晶质的金属，

所述非晶质层选自NiP、NiS、NiB、NiWP合金，所述含Ag层的厚度为0.05μm以上且1μm以下。