[发明专利]发光装置、发光装置用封装体和发光装置的制造方法有效
申请号: | 201710914653.4 | 申请日: | 2017-09-29 |
公开(公告)号: | CN107887493B | 公开(公告)日: | 2021-07-30 |
发明(设计)人: | 加藤保夫 | 申请(专利权)人: | 日亚化学工业株式会社 |
主分类号: | H01L33/60 | 分类号: | H01L33/60;H01L33/62 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 朱丹 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 封装 制造 方法 | ||
本发明涉及发光装置、发光装置用封装体和发光装置的制造方法。课题是提高发光装置中使用的含Ag层的反射率。解决方案是一种发光装置,其具有发光元件和光反射材,所述光反射材具备:母材、在前述母材上设置的非晶质层、以及在前述非晶质层上设置的含Ag层,所述光反射材反射由发光元件射出的光,所述母材是进行了结晶化的金属,所述非晶质层是非晶质的金属。
技术领域
本申请涉及具备光反射材的发光装置和制造方法,所述光反射材具有含Ag层。
背景技术
在使用了半导体发光元件(以下也简称为“发光元件”)的发光装置中,采用了多种在表面设置有对源自发光元件的光具有高反射率的银(Ag)的封装体(例如专利文献1、2)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特许4367457号
专利文献2:日本特开2013-236005号公报
发明内容
发明要解决的问题
Ag具有高光反射率,是适合作为发光装置的光反射部件的材料,但较为昂贵。但是,为了削减该Ag量、降低成本而减薄Ag层(例如1μm以下)时,如图8的比较例所示那样,存在光反射率降低的问题。
用于解决问题的方法
因而,本发明的一个实施方式是一种发光装置,其具有发光元件和光反射材,所述光反射材是包含母材、在前述母材上设置的非晶质层、以及在前述非晶质层上设置的含Ag层而成的,其反射由前述发光元件射出的光,所述母材是进行了结晶化的金属,所述非晶质层是非晶质的金属。
此外,本发明的一个实施方式是一种发光装置的制造方法,其具备:准备光反射材的工序;准备具备光反射材的封装体的工序;以及对封装体安装发光元件的工序,准备光反射材的工序包括:准备母材,通过镀敷对母材形成作为非晶质金属的非晶质层,在非晶质层上通过镀敷来形成含Ag层。
发明效果
根据这样的构成,能够提供光取出效率良好的发光装置。
附图说明
图1是用于说明实施方式1的发光装置中的光反射材的构成的示意放大截面图。
图2A是用于说明实施方式3的发光装置的示意俯视图。
图2B是用于说明实施方式3的发光装置的示意截面图。
图3A是用于说明实施方式4的发光装置的示意立体图。
图3B是用于说明实施方式4的发光装置的示意截面图。
图4A是用于说明实施方式4的发光装置的制造方法的示意截面图。
图4B是用于说明实施方式4的发光装置的制造方法的示意截面图。
图4C是用于说明实施方式4的发光装置的制造方法的示意截面图。
图4D是用于说明实施方式4的发光装置的制造方法的示意截面图。
图5是示出本发明的一个实施方式涉及的实施例的发光装置与比较例的发光装置的结构的测定结果的表。
图6是表示本发明的一个实施方式涉及的实施例的光反射材的截面的基于FIB-SEM的截面观察照片。
图7是表示本发明的一个实施方式涉及的实施例的比较例的发光装置的光反射材的截面的基于FIB-SEM的截面观察照片。
图8是示出设定为本发明的一个实施方式涉及的实施例的发光装置和比较例的发光装置的结构的测定结果的表。
附图标记说明
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