[发明专利]有机发光显示面板的制备方法及有机发光显示面板在审
| 申请号： | 201710914989.0 | 申请日： | 2017-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN107732031A | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 邢红燕;宋勇;郑义;尹岩岩;宋玉冰;程丕建;付伟鹏 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L51/50;H01L27/32 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 黄亮 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有机 发光 显示 面板 制备 方法 | ||
1.一种有机发光显示面板的制备方法，包括：
在基板上形成与待形成的发光层图案互补的牺牲层图案；
在形成有所述牺牲层图案的基板上形成发光材料；以及
去除所述牺牲层图案及其上的发光材料，以形成所述发光层图案。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在基板上形成与待形成的发光层图案互补的牺牲层图案的步骤包括：
以溅射方式在所述基板上形成所述牺牲层图案。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，在基板上形成与待形成的发光层图案互补的牺牲层图案的步骤包括：
在所述基板上形成厚度高于待形成的发光层图案的牺牲层图案。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述牺牲层的图案的高度是所述发光层图案的高度的两倍。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述牺牲层图案是由金属元素构成的图案。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述金属元素为以下各项之一：铬、钨、金。
7.根据权利要求3所述的方法，其中，去除所述牺牲层图案及其上的发光材料的步骤包括：
使用干法刻蚀来去除所述牺牲层图案及其上的发光材料。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，使用干法刻蚀来去除所述牺牲层图案及其上的发光材料的步骤包括：
使用化学性干法刻蚀来去除所述牺牲层图案；以及
将刻蚀后形成的气态副产品连同所述牺牲层图案上的发光材料一起排出反应室。
9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述干法刻蚀所采用的刻蚀气是以下各项之一：CF4、SF6、C2Cl2F4。
10.根据权利要求8所述的方法，其中，在使用干法刻蚀时，将所述基板的具有所述牺牲层图案的一面朝向下方，以使得所述牺牲层图案上的发光材料随着所述牺牲层被刻蚀掉而自然脱落。
11.一种使用如权利要求1～10中任一项所述方法制造的有机发光显示面板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710914989.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
