[发明专利]半导体元件的精细线图案形成方法

权利要求书

1.一种半导体元件的精细线图案形成方法，其特征在于，包含：

在设置于目标层上的至少一个硬遮罩层上形成多个线性核心结构；

在所述多个线性核心结构的侧壁上形成多个第一间隔物；

移除所述多个线性核心结构；

在所述多个第一间隔物的侧壁上形成多个第二间隔物；

蚀刻所述硬遮罩层由所述多个第一间隔物与所述多个第二间隔物所暴露出的多个暴露部位；以及

移除所述多个第一间隔物与所述多个第二间隔物。

2.如权利要求1所述的半导体元件的精细线图案形成方法，其特征在于，所述形成所述多个线性核心结构包含：

在所述硬遮罩层上等距地形成所述多个线性核心结构，其中所述多个线性核心结构的线宽实质上等于所述多个线性核心结构的线节距的一半。

3.如权利要求2所述的半导体元件的精细线图案形成方法，进一步包含：

在所述形成所述多个第一间隔物之前，修整所述多个线性核心结构，其中经修整的所述多个线性核心结构的线宽小于所述线节距的一半。

4.如权利要求3所述的半导体元件的精细线图案形成方法，其特征在于，经修整的所述多个线性核心结构的所述线宽等于或大于所述线节距的四分之一。

5.如权利要求2所述的半导体元件的精细线图案形成方法，其特征在于，所述多个线性核心结构沿着第一方向延伸，并沿着第二方向排列。

6.如权利要求5所述的半导体元件的精细线图案形成方法，其特征在于，所述第一方向垂直于所述第二方向。

7.如权利要求2所述的半导体元件的精细线图案形成方法，其特征在于，所述多个第一间隔物与所述多个第二间隔物形成多个岛状结构，每个所述岛状结构具有两线图案，所述多个线图案沿着所述第一方向延伸，并沿着所述第二方向排列，并且所述多个线图案的线宽大于所述多个岛状结构中的任意两个相邻者之间的距离。

8.如权利要求7所述的半导体元件的精细线图案形成方法，其特征在于，所述多个线图案的所述线宽等于或大于所述线节距的四分之一。

9.如权利要求1所述的半导体元件的精细线图案形成方法，其特征在于，所述形成所述多个第一间隔物包含：

在所述硬遮罩层的顶面、所述多个线性核心结构的侧壁以及所述多个线性核心结构的顶面形成第一间隔层；以及

移除所述第一间隔层位于所述硬遮罩层的顶面上以及所述多个线性核心结构的顶面上的部位，以保留所述第一间隔层位于所述多个线性核心结构的侧壁上的部位。

10.如权利要求1所述的半导体元件的精细线图案形成方法，其特征在于，所述形成所述多个第二间隔物包含：

在所述硬遮罩层的顶面、所述多个第一间隔物的侧壁以及所述多个第一间隔物的顶面形成第二间隔层；以及

移除所述第二间隔层位于所述硬遮罩层的顶面上以及所述多个第一间隔物的顶面上的部位，以保留所述第二间隔层位于所述多个第一间隔物的侧壁上的部位。

11.如权利要求1所述的半导体元件的精细线图案形成方法，其特征在于，所述多个第一间隔物的厚度大于所述多个第二间隔物的厚度。

12.如权利要求1所述的半导体元件的精细线图案形成方法，其特征在于，所述蚀刻包含蚀刻所述多个暴露部位，直到所述目标层由所述硬遮罩层所暴露出。

13.如权利要求1所述的半导体元件的精细线图案形成方法，其特征在于，所述移除所述多个线性核心结构是在所述形成所述多个第一间隔物之后且在所述形成所述多个第二间隔物之前所执行。