[发明专利]一种Mosfet状态监测装置在审
申请号: | 201710918508.3 | 申请日: | 2017-09-30 |
公开(公告)号: | CN107528454A | 公开(公告)日: | 2017-12-29 |
发明(设计)人: | 杨凯 | 申请(专利权)人: | 郑州云海信息技术有限公司 |
主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08;G01R31/26;H02M3/156 |
代理公司: | 济南舜源专利事务所有限公司37205 | 代理人: | 刘雪萍 |
地址: | 450000 河南省郑州市*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 mosfet 状态 监测 装置 | ||
1.一种Mosfet状态监测装置,其特征在于,包括:Mosfet,以及
接收控制芯片的控制信号,根据控制信号驱动Mosfet开通关断的Mosfet驱动电路;
实时监测Mosfet栅极电压,并将监测信号传至控制芯片的Mosfet栅极电压监测电路;
以及,控制芯片和监控后台;控制芯片的输出端分别与Mosfet驱动电路的输入端、监控后台的输入端连接;Mosfet驱动电路的输出端与Mosfet栅极连接;Mosfet栅极电压监测电路的输入端与Mosfet栅极连接,Mosfet栅极电压监测电路的输出端与控制芯片的输入端连接;所述控制芯片发送控制信号至Mosfet驱动电路,并接收和处理Mosfet栅极电压监测电路的监测信号,当该监测信号异常时,发送报警信号至监控后台。
2.根据权利要求1所述的Mosfet状态监测装置,其特征在于,Mosfet栅极电压监测电路包括采样电路和放大电路;所述采样电路采集Mosfet栅极电压,经放大电路放大后输入控制芯片。
3.根据权利要求2所述的Mosfet状态监测装置,其特征在于,采样电路包括:电阻R1、电阻R2和电容C1;
电阻R1一端接Mosfet栅极连接、另一端经电阻R2接地,电容C1与电阻R2并联。
4.根据权利要求3所述的Mosfet状态监测装置,其特征在于,放大电路包括:放大器U1、放大器U2、电容C2、二极管D1、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8;
电阻R1与电阻R2之间的节点连接至二极管D1的负极,二极管D1的正极接地,电容C2与二极管D1并联;二极管D1的负极还经电阻R3连接至放大器U1的负向输入端;放大器U1的正向输入端接地,放大器U1的输出端经电阻R4连接放大器U1的负向输入端;放大器U1的输出端还经电阻R5连接至放大器U2的正向输入端,放大器U2的负向输入端经电阻R6接地;放大器U2的输出端经电阻R7连接放大器U2的负向输入端,放大器U2的输出端还经电阻R8连接至放大器U1的负向输入端。
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