[发明专利]一种Mosfet状态监测装置

说明书

技术领域

本发明涉及Mosfet监测领域，具体涉及一种Mosfet状态监测装置。

背景技术

服务器运行需要PSU供电，一般用于服务器供电的PSU输出为12V或者48V，服务器内部的线路板上的电子元器件需要的电源（如0.9V，1V，3.3V，5V等）通过VR对PSU的输出电压进行转换。VR转换线路一般是BUCK线路，BOOST线路或者BUCK-BOOST线路；无论哪种线路，都是通过IC控制Mosfet及其周边器件的方式实现的。在线路板工作时，Mosfet正常，VR线路稳定工作；Mosfet不能正常工作，VR线路轻则不能稳定输出，重则对后端、前端或者其他链路上的电子元器件产生破坏性影响。因此，在工作过程中监测Mosfet的好坏就非常有意义。

就目前而言，在VR工作过程中，对Mosfet实时监测异常还没有具体方案，有些方案是在上电前监测mosfet是否异常，但是不能在VR工作过程中对Mosfet实时监测。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供一种可实时监测Mosfet栅极电压的Mosfet状态监测装置。

本发明的技术方案是：一种Mosfet状态监测装置，包括：Mosfet，以及

接收控制芯片的控制信号，根据控制信号驱动Mosfet开通关断的Mosfet驱动电路；

实时监测Mosfet栅极电压，并将监测信号传至控制芯片的Mosfet栅极电压监测电路；

以及，控制芯片和监控后台；控制芯片的输出端分别与Mosfet驱动电路的输入端、监控后台的输入端连接；Mosfet驱动电路的输出端与Mosfet栅极连接；Mosfet栅极电压监测电路的输入端与Mosfet栅极连接，Mosfet栅极电压监测电路的输出端与控制芯片的输入端连接；所述控制芯片发送控制信号至Mosfet驱动电路，并接收和处理Mosfet栅极电压监测电路的监测信号，当该监测信号异常时，发送报警信号至监控后台。

进一步地，Mosfet栅极电压监测电路包括采样电路和放大电路；所述采样电路采集Mosfet栅极电压，经放大电路放大后输入控制芯片。

进一步地，采样电路包括：电阻R1、电阻R2和电容C1；

电阻R1一端接Mosfet栅极连接、另一端经电阻R2接地，电容C1与电阻R2并联。

进一步地，放大电路包括：放大器U1、放大器U2、电容C2、二极管D1、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8；

电阻R1与电阻R2之间的节点连接至二极管D1的负极，二极管D1的正极接地，电容C2与二极管D1并联；二极管D1的负极还经电阻R3连接至放大器U1的负向输入端；放大器U1的正向输入端接地，放大器U1的输出端经电阻R4连接放大器U1的负向输入端；放大器U1的输出端还经电阻R5连接至放大器U2的正向输入端，放大器U2的负向输入端经电阻R6接地；放大器U2的输出端经电阻R7连接放大器U2的负向输入端，放大器U2的输出端还经电阻R8连接至放大器U1的负向输入端。

本发明提供的Mosfet状态监测装置，设置Mosfet栅极电压监测电路，在控制驱动Mosfet开通关断实现正常输出的同时，时时侦测Mosfet的栅极电压，在栅极电压异常时及时通知控制芯片，提前发现Mosfet异常，及时通知使用者潜在风险，防止产生更大损失。

附图说明

图1是本发明具体实施例原理示意框图。

图2是本发明具体实施例Mosfet栅极电压监测电路示意图。

图中，1-控制芯片，2-Mosfet驱动电路，3a、3b-Mosfet栅极电压监测电路，4-采样电路，5-放大电路，U1、U2-放大器，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8-电阻，C、C1、C2-电容，D1-二极管，L-电感。

具体实施方式

下面结合附图并通过具体实施例对本发明进行详细阐述，以下实施例是对本发明的解释，而本发明并不局限于以下实施方式。