[发明专利]一种校正全局金属层工艺热点的方法

权利要求书

1.一种校正全局金属层工艺热点的方法，其特征在于，包括以下步骤：

S01：在金属层中进行热点检出，生成热点标记层，其中，所述金属层对应的光罩层为原始光罩层，所述热点标记层覆盖下的目标层和光罩层分别为热点目标层和热点光罩层；

S02：以热点为中心，生成该热点的外延层，其中，所述外延层覆盖下的目标层和光罩层分别为外延目标层和外延光罩层，所述原始光罩层中去除热点标记层和外延层对应的区域为非校正区域；

S03：以外延光罩层为参考层，热点目标层为目标层，对上述热点进行像素级光学临近校正，将校正结果与原始光罩层的非校正区域进行合并，得到光罩层Ⅰ；

S04：以光罩层Ⅰ为参考层，外延目标层为目标层，对上述外延层进行光学临近校正，将校正结果与原始光罩层的非校正区域进行合并，得到光罩层Ⅱ；

S05：将光罩层Ⅰ和热点光罩层做逻辑非运算，将光罩层Ⅱ和外延光罩层做逻辑非运算，若两次逻辑非运算结果均为空，则将光罩层Ⅰ和光罩层Ⅱ做逻辑异或运算，得到校正后的金属光罩层；若两次逻辑运算结果不全为空，则重复步骤S03-S05，直至得出校正后的金属光罩层。

2.根据权利要求1所述的一种校正全局金属层工艺热点的方法，其特征在于，所述热点标记层为0.2×0.2μm的矩形。

3.根据权利要求1所述的一种校正全局金属层工艺热点的方法，其特征在于，所述外延层为以该热点为中心并去除热点标记层的2×2μm的矩形。

4.根据权利要求1所述的一种校正全局金属层工艺热点的方法，其特征在于，所述步骤S01中热点检出的数量大于等于1。

5.根据权利要求1所述的一种校正全局金属层工艺热点的方法，其特征在于，所述像素级光学临近校正的具体方法为：

S0301：对热点目标层进行圆滑化，得到曲线形的初始热点光罩层；

S0302：对初始热点光罩层进行修正，得到曲线形中间热点光罩层；

S0303：将曲线形的中间热点光罩层还原为直线图形，得到光罩层Ⅰ。

6.根据权利要求5所述的一种校正全局金属层工艺热点的方法，其特征在于，所述步骤S0301中对热点目标层中的所有图形线条进行圆滑化。

7.根据权利要求5所述的一种校正全局金属层工艺热点的方法，其特征在于，所述步骤S0302中通过对比光罩层的仿真结果和目标层，对初始热点光罩层进行修正。

8.根据权利要求5所述的一种校正全局金属层工艺热点的方法，其特征在于，所述步骤S0303中采用微分法将曲线形的中间热点光罩层还原为直线形状。

9.根据权利要求5所述的一种校正全局金属层工艺热点的方法，其特征在于，所述步骤S0303中直线图形经过分段修正之后得到光罩层Ⅰ。

10.根据权利要求1所述的一种校正全局金属层工艺热点的方法，其特征在于，所述光学临近校正为基于模型的光学临近校正。