[发明专利]一种校正全局金属层工艺热点的方法

说明书

本发明公开了一种校正全局金属层工艺热点的方法，包括以下步骤：S01：在金属层中进行热点检出，生成热点标记层；S02：以热点为中心，生成该热点的外延层；S03：以外延光罩层为参考层，热点目标层为目标层，对上述热点进行像素级光学临近校正，得到光罩层Ⅰ；S04：以光罩层Ⅰ为参考层，外延目标层为目标层，对上述外延层进行光学临近校正，得到光罩层Ⅱ；S05：将光罩层Ⅰ和热点光罩层做逻辑非运算，将光罩层Ⅱ和外延光罩层做逻辑非运算，若两次逻辑非运算结果均为空，则光罩层Ⅰ和光罩层Ⅱ做逻辑异或运算，得到校正后的金属光罩层；若两次逻辑运算结果不全为空，则重复步骤S03‑S05。本发明提能够全局性地解决金属层工艺热点的问题。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，具体涉及一种校正全局金属层工艺热点的方法。

背景技术

随着技术节点的不断减小，对于图形尺寸以及上下层的对准精度要求也越来越高。在光刻工艺制程中，由于光学成像本身的分辨率限制，垂直的版图转角，最终在硅片上曝光成像时不可避免都会产生圆化失真现象。这种转角失真，如果没有得到很好的修正补偿，往往会导致诸多问题，例如引起图形转角尺寸缩减，对上下层的对准以及面积覆盖率均会产生不利影响，严重时将导致许多符合设计规则，版图上看似安全的结构，在工艺制程中变成实际窗口不足的工艺热点。金属层的转角圆化，会导致其与通孔层的覆盖面积减小，出现覆盖率不足的问题。为了避免转角失真，业内通常采用光学临近修正(OPC)方式来进行修正，OPC修正法在现有技术中的应用主要包括添加衬线(serif)结构的基于规则的光学临近修正方式(rule-based OPC)，以及基于模型的光学临近修正方式(model-based OPC)。

传统的OPC方法，在目标层周围加入曝光辅助图形，并对目标层进行分段，各分段根据自身的仿真轮廓与对应的目标尺寸之间的差值，进行移动，直至仿真得到的轮廓与对应的目标尺寸相等，这种方法中分段尺寸和曝光辅助图形的选取完全依靠工程师经验，不恰当的分段方法和曝光辅助图形容易造成光刻工艺热点。

为了得到更精确的校正结果，光学邻近修正方法发展为像素级光学临近校正(PXOPC)，PXOPC方法与上述方法不同，其以目标层为导向，通过将目标层圆滑化，形成圆滑的曲线形光罩图案，再利用微分法将曲线整合成直线组合，最后通过各分段小幅调整获得最终光罩图案。由于这种修正过程经历了光罩图案的圆滑化和再次直线化，具有自动优化曝光辅助图形的选取，自动选择最优分段尺寸的作用，因此有助于解决工艺热点。然而，虽然PXOPC具有上述优点，但是其在曲线形光罩图形的移动和仿真过程中对计算资源的需求极大，相同CPU数量下，计算时间是传统OPC方法的4倍以上，无法进行全局的OPC修正。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种校正全局金属层工艺热点的方法，综合利用像素级光学临近校正方法和传统的光学临近校正方法，对工艺热点采用像素级光学临近校正方法进行修正，对该热点的外延区域采用传统光学临近校正方法进行修正，通过对外延区域和热点区域图形的循环修正，最终全局性地解决金属层工艺热点的问题。

为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：一种校正全局金属层工艺热点的方法，包括以下步骤：

S01：在金属层中进行热点检出，生成热点标记层，其中，所述金属层对应的光罩层为原始光罩层，所述热点标记层覆盖下的目标层和光罩层分别为热点目标层和热点光罩层；

S02：以热点为中心，生成该热点的外延层，其中，所述外延层覆盖下的目标层和光罩层分别为外延目标层和外延光罩层，所述原始光罩层中去除热点标记层和外延层对应的区域为非校正区域；

S03：以外延光罩层为参考层，热点目标层为目标层，对上述热点进行像素级光学临近校正，将校正结果与原始光罩层的非校正区域进行合并，得到光罩层Ⅰ；

S04：以光罩层Ⅰ为参考层，外延目标层为目标层，对上述外延层进行光学临近校正，将校正结果与原始光罩层的非校正区域进行合并，得到光罩层Ⅱ；