[发明专利]QDCF、其加工方法及应用在审

专利信息
申请号: 201710928284.4 申请日: 2017-10-09
公开(公告)号: CN107490817A 公开(公告)日: 2017-12-19
发明(设计)人: 岳春波;宋志成;刘振国;刘卫东 申请(专利权)人: 青岛海信电器股份有限公司
主分类号: G02B5/22 分类号: G02B5/22;G03F7/20
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 代理人: 逯长明,许伟群
地址: 266555 山东省青*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: qdcf 加工 方法 应用
【说明书】:

技术领域

本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种QDCF、其加工方法及应用。

背景技术

QDCF(Quantum Dots Color Filter,量子点彩色滤光片)通常被应用于显示屏。图1是现有技术中一种典型的QDCF的基本结构示意图。如图1所示,QDCF包括基板本体1、黑矩阵2以及像素层3,黑矩阵2和像素层3组成网格状结构覆盖在基板本体1上,黑矩阵2由黑矩阵材料制成,像素层3由量子点材料制成,量子点材料中包括发光量子点,发光量子点用以吸收激发光蓝光进行光的转化。黑矩阵2为承载像素层3的网格状骨架,量子点材料设置在黑矩阵2网格中形成像素层3,黑矩阵2的厚度不低于像素层3的厚度,在性能上黑矩阵2用于发光量子点的光屏蔽,在结构上黑矩阵2保持设计需要的图形,用于支撑像素层3。

目前,本领域技术人员通过不断提高像素层3中发光量子点的浓度来提高像素层3的光转换效率。然而,当像素层3的厚度一定的时候,在发光量子点浓度达到临界值后,继续增加发光量子点浓度,像素层3的光转换效率不再有明显变化,如此将限制了QDCF的光转换效率的提高。

近有研究表明激发光蓝光的吸收光转换效率与像素层3的厚度成正比,即当像素层3中发光量子点的浓度达到临界值后,增加像素层3的厚度可继续提高像素层3的光转换效率。为保证QDCF的性能,若要提高像素层3的厚度相应的就需要提高黑矩阵的厚度,而目前用作的QDCF中黑矩阵的材料,在黑矩阵宽度一定的时候,其厚度所能达到的最大值也将是定值,如QDCF中黑矩阵的宽度为26μm,其厚度能达到的最大值为2μm,无法进一步提高,制约QDCF的光转换效率的进一步提高。因此,如何进一步提高QDCF的光转换效率,是本领域技术人员亟待解决的技术难题。

发明内容

本申请提供了一种QDCF、其加工方法及应用,用于提高QDCF的光转换效率。

第一方面,本申请提供了一种QDCF,包括基板本体以及设置在基板本体上的像素层和黑矩阵;其中:

所述黑矩阵由黑矩阵组合物制成,所述黑矩阵组合物包括以下重量配比的组分:

其中,

所述成膜树脂包括苯乙烯共聚物,所述苯乙烯共聚物的分子量为5000-50000。

第二方面,本申请提供了一种QDCF加工方法,所述方法包括以下步骤:

将上述任意一项所述的黑矩阵组合物涂覆于基板本体上,干燥,形成黑矩阵薄膜;

通过预定的图形掩膜,对所述黑矩阵薄膜进行曝光,曝光量为100mJ/cm2-120mJ/cm2

通过显影法除去被曝光区域,形成黑矩阵;

涂覆发光量子点溶液,干燥,形成像素层。

第三方面,本申请提供了一种显示屏,所述显示屏包括QDCF,所述QDCF如上述所述的QDCF。

第四方面,本申请提供了一种黑矩阵组合物,所述黑矩阵组合物包括以下重量配比的组分:

其中:

所述成膜树脂包括苯乙烯共聚物,所述苯乙烯共聚物的分子量为5000-50000。

第五方面,本申请提供了一种黑矩阵组合物的制备方法,所述加工方法包括以下步骤:

混合光敏剂、表面活性剂、成膜树脂和溶剂,形成分散体系;

将黑色颜料加入到所述分散体系中,混合,制得用于QDCF基板厚层黑矩阵的组合物;其中,

所述混合光敏剂、表面活性剂、成膜树脂、溶剂和黑色颜料分别的组分及其重量份数配比如上述任意一项中所述。

本申请提供的技术方案可以包括以下有益效果:

本申请提供的一种QDCF、其加工方法及应用,QDCF包括基板本体以及设置在基板本体上的像素层和黑矩阵,其中黑矩阵由黑矩阵组合物制成,黑矩阵组合物包括光敏剂、黑色颜料、表面活性剂、成膜树脂和溶剂,成膜树脂中包括苯乙烯共聚物,且苯乙烯共聚物的分子量为5000-50000,所述苯乙烯共聚物能够提高用于黑矩阵组合物的粘性以及粘稠度,且降低黑矩阵组合物的宽厚比。本申请提供的QDCF中黑矩阵在其宽度满足使用需要的同时其厚度能够达到10μm,完全满足通过改变像素层厚度来进一步提高QDCF光转换效率的要求,有助于进一步提高QDCF光转换效率。

应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本发明。

附图说明

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