[发明专利]感测装置在审
| 申请号： | 201710933862.3 | 申请日： | 2017-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN109659385A | 公开（公告）日： | 2019-04-19 |
| 发明（设计）人： | 吴智濠 | 申请（专利权）人： | 群创光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/08 | 分类号： | H01L31/08 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 中国台湾新竹科学工*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体管 半导体层 感测元件 闪烁层 基板 第二电极 第一电极 感测装置 电性连接 弧形结构 角落区域 斜边结构 | ||
1.一种感测装置，其特征在于，包括：
一基板；
至少一晶体管，设置于该基板上；
至少一感测元件，设置于该晶体管上，并电性连接该晶体管，该感测元件包括：
一第一电极层；
一半导体层，设置于该第一电极层上；
一第二电极层，设置于该半导体层上；以及
一闪烁层，设置于该基板的一侧，其中该闪烁层的至少一角落区域包括一弧形结构或一斜边结构。
2.如权利要求1所述的感测装置，其特征在于，该基板的至少一转角区域包括一缺口结构。
3.如权利要求2所述的感测装置，其特征在于，该缺口结构具有一第一侧边及一第二侧边，该第一侧边与该第二侧边是相交于一交点且夹有一角度，其中该交点沿该角度的角平分线延伸方向至该闪烁层具有一距离，该距离是大于0厘米(mm)且小于或等于4厘米(mm)。
4.如权利要求1所述的感测装置，其特征在于，该基板具有一厚度，该厚度的范围为5微米到100微米。
5.如权利要求1所述的感测装置，其特征在于，该感测装置更包括一反射层，该基板位于该反射层与该闪烁层之间。
6.如权利要求5所述的感测装置，其特征在于，该反射层的面积大于或等于该闪烁层的面积，且小于或等于该基板的面积。
7.如权利要求5所述的感测装置，其特征在于，该第一电极层为透明电极层。
8.如权利要求7所述的感测装置，其特征在于，该闪烁层与该感测元件设置于该基板的相同侧。
9.如权利要求7所述的感测装置，其特征在于，该闪烁层与该感测元件设置于该基板的相反侧。
10.如权利要求1所述的感测装置，其特征在于，其中该闪烁层与该感测元件设置于该基板的相反侧，且该第二电极层为金属电极层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
