[发明专利]一种干蚀刻装置顶盖及干蚀刻装置有效
申请号: | 201710934433.8 | 申请日: | 2017-09-28 |
公开(公告)号: | CN107633994B | 公开(公告)日: | 2020-02-07 |
发明(设计)人: | 崔珠峰 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 44280 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 钟子敏 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 蚀刻 装置 顶盖 | ||
1.一种干蚀刻装置顶盖,其特征在于,包括:
磁场产生装置,所述磁场产生装置设置于所述干蚀刻装置顶盖中,用于控制所述干蚀刻装置的工艺腔室中的等离子运动;
电场屏蔽层,所述电场屏蔽层设置于所述磁场产生装置靠近所述工艺腔室的一侧,用于屏蔽所述磁场产生装置的自感电场;
感应层,所述感应层设置于所述电场屏蔽层下方,用于检测所述磁场产生装置每个分区的自感电场强度;
其中,所述磁场产生装置包含若干个磁场产生分区,用于对所述工艺腔室中的等离子进行分区控制;
所述电场屏蔽层对应所述磁场产生装置的所述磁场产生分区进行分区设置;
对于所述电场屏蔽层的每个分区,若对应所述磁场产生分区的自感电场强度大于预设强度的分区,则设置有电场屏蔽模块,若对应所述磁场产生分区的自感电场强度不大于预设强度的分区,则不设置有电场屏蔽模块。
2.根据权利要求1所述的干蚀刻装置顶盖,其特征在于,
所述电场屏蔽层为金属层。
3.根据权利要求2所述的干蚀刻装置顶盖,其特征在于,
所述金属层材料包括铝和不锈钢。
4.根据权利要求1所述的干蚀刻装置顶盖,其特征在于,
所述感应层包括透射式光感传感器和反射式光感传感器。
5.根据权利要求1所述的干蚀刻装置顶盖,其特征在于,
所述磁场产生分区包括天线。
6.根据权利要求1所述的干蚀刻装置顶盖,其特征在于,
所述磁场产生装置产生的磁场方向垂直于施加于所述工艺腔室的电场方向。
7.根据权利要求1所述的干蚀刻装置顶盖,其特征在于,
所述磁场产生装置使得所述工艺腔室中的等离子成螺旋状运动。
8.一种干蚀刻装置,其特征在于,所述干蚀刻装置包括工艺腔室和如权利要求1-7中任一项所述的干蚀刻装置顶盖。
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