[发明专利]一种干蚀刻装置顶盖及干蚀刻装置

说明书

本发明公开了一种干蚀刻装置顶盖及一种干蚀刻装置，该干蚀刻装置顶盖包括：磁场产生装置，所述磁场产生装置设置于所述干蚀刻机台顶盖中，用于控制所述干蚀刻装置的工艺腔室中的等离子运动；电场屏蔽层，所述电场屏蔽层设置于所述磁场产生装置靠近所述工艺腔室的一侧，用于屏蔽所述磁场产生装置的自感电场。通过上述方式，本发明能够降低磁场产生装置产生的电场对工艺腔室中的等离子运动的干扰。

技术领域

本发明涉及干蚀刻领域，特别是涉及一种干蚀刻装置顶盖及干蚀刻装置。

背景技术

随着科技的发展，对面板精细度要求持续提高，制程材料逐渐由无定形硅转变为低温多晶硅，低温多晶硅具有更高的电子迁移率，因此需要干蚀刻机台对等离子运动能更进一步精确控制。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种干蚀刻装置顶盖及干蚀刻装置，能够降低磁场产生装置产生的电场对工艺腔室中的等离子运动的干扰。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种干蚀刻装置顶盖，包括：磁场产生装置，所述磁场产生装置设置于所述干蚀刻机台顶盖中，用于控制所述干蚀刻装置的工艺腔室中的等离子运动；电场屏蔽层，所述电场屏蔽层设置于所述磁场产生装置靠近所述工艺腔室的一侧，用于屏蔽所述磁场产生装置的自感电场。

为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种干蚀刻装置，包括工艺腔室和如上所述的干蚀刻装置顶盖。

本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明可以通过电场屏蔽层屏蔽磁场产生装置产生的电场，降低磁场产生装置产生的电场对工艺腔室中的等离子运动的干扰。

附图说明

图1是本发明提供的干蚀刻装置顶盖第一实施方式的结构示意图；

图2是本发明提供的干蚀刻装置顶盖第二实施方式的结构示意图；

图3是本发明提供的干蚀刻装置实施方式的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，均属于本发明保护的范围。

请参阅图1，图1是本发明提供的干蚀刻装置顶盖第一实施方式的结构示意图，干蚀刻装置顶盖10包括磁场产生装置11和电场屏蔽层12。磁场产生装置11用于产生磁场，控制工艺腔室(图未示)中的等离子运动。该磁场方向与施加在工艺腔室的电场方向垂直。运动的带电粒子在磁场中受到洛伦兹力的影响，因此等离子在此磁场下，将以相应方式如螺旋方式、多折线向下方式等移动，如此一来，将会减少等离子撞击腔壁，增大等离子自由程，同时提升等离子浓度。

磁场产生装置11产生的磁场会产生可变电场，该电场会干扰工艺腔室中的等离子运动，电场屏蔽层12设置于磁场产生装置靠近工艺腔室的一侧，用来屏蔽这个电场，降低其对工艺腔室中的等离子运动的干扰。电场屏蔽层12可是不锈钢层或者铝层，也可以是其他金属材质层，或者可以是其他具有屏蔽电场效果的材质组成。

通过上述描述可知，本实施例通过在干蚀刻装置顶盖用于靠近工艺腔室的一侧设置电场屏蔽层，有效屏蔽了磁场产生装置产生的磁场产生的电场，降低该顶盖对其所在的干蚀刻装置的工艺腔室中等离子运动的干扰，提升了磁场产生装置产生的磁场对工艺腔室中等离子运动的控制，提升蚀刻精准度。