[发明专利]逻辑单元结构和方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

半导体衬底；

多个场效应器件，设置在所述半导体衬底上，其中，所述场效应器件包括具有在第一方向上定向的细长形状的栅极；

第一金属层，设置在所述栅极上方，其中，所述第一金属层包括在垂直于所述第一方向的第二方向上定向的多条第一金属线；

第二金属层，设置在所述第一金属层上方，其中，所述第二金属层包括在所述第一方向上定向的多条第二金属线；以及

第三金属层，设置在所述第二金属层上方，其中，所述第三金属层包括在所述第二方向上定向的多条第三金属线；

其中，所述第一金属线具有第一厚度，所述第二金属线具有第二厚度，所述第三金属线具有第三厚度，并且其中，所述第二厚度小于所述第一厚度和所述第三厚度。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，

所述第一金属线具有第一宽度；

所述第二金属线具有第二宽度；

所述第三金属线具有第三宽度；以及

所述第二宽度小于所述第一宽度和所述第三宽度。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一厚度和所述第三厚度彼此相等。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，

所述第一金属线具有第一间距P1；

所述第二金属线具有第二间距P2；

所述第三金属线具有第三间距P3；以及

所述第二间距小于所述第一间距和所述第三间距。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其中，所述栅极具有第四间距P4，其中，所述第二间距与所述第四间距的比率P2：P4为3：2。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其中，所述多个场效应器件包括连接在一起以形成反相器的n型导电场效应晶体管(nFET)和p型导电场效应晶体管(pFET)，其中，所述反相器沿着所述第二方向跨越2*P4的尺寸。

7.根据权利要求5所述的半导体结构，还包括沿着所述第二方向跨越3*P4的尺寸的NAND栅极，其中，所述NAND栅极包括场效应晶体管(FET)。

8.根据权利要求5所述的半导体结构，还包括沿着所述第二方向跨越3*P4的尺寸的NOR栅极。

9.一种半导体结构，包括：

半导体衬底；

多个栅极，设置在所述半导体衬底上并且在第一方向上定向；

第一金属层，设置在所述栅极上方，其中，所述第一金属层包括在垂直于所述第一方向的第二方向上定向的多条第一金属线；

第二金属层，设置在所述第一金属层上方，其中，所述第二金属层包括在所述第一方向上定向的多条第二金属线；以及

第三金属层，设置在所述第二金属层上方，其中，所述第三金属层包括在所述第二方向上定向的多条第三金属线；

其中，所述第一金属线具有第一间距P1、第一宽度和第一厚度；所述第二金属线具有第二间距P2、第二宽度和第二厚度，所述第三金属线具有第三间距P3、第三宽度和第三厚度，其中，所述第二间距、所述第二宽度和所述第二厚度中的至少一个参数小于所述第一金属线和所述第三金属线的对应参数。

10.根据权利要求9所述的半导体结构，其中，

所述第二宽度小于所述第一宽度和所述第三宽度；以及

所述第一宽度和所述第三宽度彼此相等。

11.根据权利要求10所述的半导体结构，其中，所述第二厚度小于所述第一厚度和所述第三厚度。

12.根据权利要求11所述的半导体结构，其中，所述第二间距小于所述第一间距和所述第三间距。

13.根据权利要求12所述的半导体结构，其中，所述栅极具有第四间距P4，其中，所述第二间距与所述第四间距的比率P2：P4为3：2。