[发明专利]半导体封装有效
申请号: | 201710946184.4 | 申请日: | 2017-10-12 |
公开(公告)号: | CN108666289B | 公开(公告)日: | 2020-06-19 |
发明(设计)人: | 刘昭成 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 萧辅宽 |
地址: | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 | ||
本发明之一半导体封装包括:一基板,其包括一导电垫片(pad);一半导体装置,其包括一导电部件;及一连接组件,其位于该导电垫片与该导电部件之间;其中该连接组件具有一侧壁,且该侧壁相对于该导电垫片之一角度系等于或小于90度。
技术领域
本发明系关于一种半导体封装,更特定而言,本发明系关于一种包括一连接组件之半导体封装,其中该连接组件包括围绕一导电构件之杯状部分或周缘(rim)部分。
背景技术
半导体封装于其制造过程中将经历多个热循环过程,例如回焊操作(具有高达约摄氏240至约摄氏250度之峰值回焊温度)、清洁操作(约于摄氏160度下进行)、烘烤操作及成型操作(约于室温下进行)等,该等热循环过程可能导致半导体封装相对较大之翘曲,此外,用于制造相似半导体封装之程序可能使用相对较多之操作次数,此可能导致教高之成本以及降低每小时之产品产出(Unit Per Hour,UPH),此外,在部份于高温下进行之操作(例如回焊操作)期间,由于焊料/预焊料(pre-solder)熔化成液态,将产生该等焊料/预焊料之渗流(bleeding)或蔓延(creeping)之问题,此将对半导体封装之电连接产生不利之影响,此外,随着半导体封装之间距及宽度变小,处理及清洁半导体装置及基板将变的更具挑战性(尤其在将半导体装置接合至基板后电浆或离子将被焊球或铜柱阻挡)。由于在成型操作期间将产生空洞及层间剥离,因此需要一种可避免上述问题之半导体封装。
发明内容
本发明之一实施例之一半导体封装包括:一基板,其包括一导电垫片(pad);一半导体装置,其包括一导电部件;及一连接组件,其位于该导电垫片与该导电部件之间;其中该连接组件具有一侧壁,且该侧壁相对于该导电垫片之一角度系等于或小于90度。
本发明之一实施例之一半导体封装包括:一基板,其包括一导电垫片;一半导体装置,其包括一导电部件;及一连接组件,其位于该导电垫片与该导电部件之间;其中该连接组件包括一周缘(rim)部分,该周缘部分围绕该导电部件且与该导电部件分开。
本发明之一实施例之一半导体封装包括:一基板,其包括一导电垫片;一半导体装置,其包括一导电部件;及一连接组件,其位于该导电垫片与该导电部件之间;其中一颈形部设置于该导电部件与该连接组件间之一接合处。
附图说明
图1A为依据本发明之一实施例之一半导体封装结构之横截面示意图。
图1B为依据本发明之一实施例之一半导体封装结构之横截面示意图。
图2为依据本发明之一实施例之一半导体封装结构之横截面示意图。
图3为依据本发明之一实施例之一半导体封装结构之横截面示意图。
图4为依据本发明之一实施例之一半导体封装结构之三维示意图。
图5为依据本发明之一实施例之一半导体封装结构之三维示意图。
图6A~6F为依据本发明之一实施例之制造一半导体封装结构之方法之示意图。
图7A~7C为依据本发明之一实施例之制造一半导体封装结构之方法之示意图。
图8A为依据本发明之一实施例之一半导体封装结构之横截面示意图。
图8B为依据本发明之一实施例之一半导体封装结构之横截面示意图。
图9为具有在回焊操作期间产生之问题之一半导体封装结构之横截面示意图。
图10A~10E为依据本发明之一实施例之制造一半导体封装结构之方法之示意图。
图11A为依据本发明之一实施例之一半导体封装结构之横截面示意图。
图11B为依据本发明之一实施例之一半导体封装结构之横截面示意图。
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