[发明专利]一种晶体衍射信号获取方法在审
申请号: | 201710952341.2 | 申请日: | 2017-10-13 |
公开(公告)号: | CN107703168A | 公开(公告)日: | 2018-02-16 |
发明(设计)人: | 窦作勇;张鹏程;马策;陈力;罗晋如;谈笑;李云;王旻;董平 | 申请(专利权)人: | 中国工程物理研究院材料研究所 |
主分类号: | G01N23/207 | 分类号: | G01N23/207 |
代理公司: | 成都天嘉专利事务所(普通合伙)51211 | 代理人: | 张新 |
地址: | 621700 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶体 衍射 信号 获取 方法 | ||
1.一种晶体衍射信号获取方法,步骤为
步骤一,将铁粉标样置于X射线管光路中心;
步骤二,采用面探测器获取X射线衍射信号,使面探测器表面与入射X射线垂直;
步骤三,在面探测器前方对应X射线透射的位置安装铅块;
步骤四,开启X射线管,采用低电压、低电流,通过样品成像情况调整铅块位置,使之完全挡住透射X射线;
步骤五,增加X射线管的电压和电流,设置探测器的参数;
步骤六,根据衍射信号在面探测器上的分布情况,调整探测器与样品的距离,直至可采集清晰的衍射信号;
步骤七,关闭X射线管,取下铁粉标样,换上待分析样品;
步骤八,设置X射线管的工作电压、电流及探测器工作参数;
步骤九,开启X射线管,待X射线管电压、电流达到设定值后,采集衍射信号,信号采集完毕后,探测器保存数据。
2.根据权利要求1所述一种晶体衍射信号获取方法,其特征在于,所述X射线为W靶X射线管。
3.根据权利要求1或2所述一种晶体衍射信号获取方法,其特征在于,所述步骤五中X射线管的电压为200kV,电流为3mA。
4.根据权利要求1或2所述一种晶体衍射信号获取方法,其特征在于,所述步骤1中铁粉标样厚度为3mm。
5.根据权利要求1所述一种晶体衍射信号获取方法,其特征在于,所述步骤6中清晰的衍射信号为至少3个衍射环。
6.根据权利要求1或2所述一种晶体衍射信号获取方法,其特征在于,所述X射线管前方设置有入射准直器中,入射准直器上安装有Hf滤波片。
7.根据权利要求6所述一种晶体衍射信号获取方法,其特征在于,所述Hf滤波片厚度为0.05至0.08mm。
8.根据权利要求1或2所述一种晶体衍射信号获取方法,其特征在于,所述铅块厚度大于等于20mm。
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