[发明专利]功率金属氧化物半导体场效晶体管

权利要求书

1.一种功率金属氧化物半导体场效晶体管，其特征在于，包括：

第一晶体管与第二晶体管，分别包括：

基底结构，具有第一导电型；

阱区，具有第二导电型，且位于所述基底结构中；

至少一个沟槽式栅极，设置于所述阱区中，其中所述阱区的部分底部位于所述至少一个沟槽式栅极的底部的正下方；

多个第一掺杂区，具有所述第一导电型，且设置于所述至少一个沟槽式栅极两侧的所述阱区中；

第一金属层，设置于所述基底结构的第一表面上，且电连接于所述多个第一掺杂区；

第二掺杂区，具有所述第一导电型，且设置于所述阱区下方的所述基底结构中；以及

第二金属层，设置于所述基底结构的相对于所述第一表面的第二表面上，且电连接于所述第二掺杂区，其中

所述第一晶体管的所述阱区与所述第二晶体管的所述阱区彼此分离，且

所述第一晶体管与所述第二晶体管共用所述第二掺杂区与所述第二金属层；

所述功率金属氧化物半导体场效晶体管还包括隔离结构，所述隔离结构设置于所述第一晶体管与所述第二晶体管之间，其中所述隔离结构的底面高于所述至少一个沟槽式栅极的底面；

所述阱区的下表面位于所述至少一个沟槽式栅极的正下方与所述多个第一掺杂区的正下方，且所述阱区的整个下表面均低于所有所述沟槽式栅极的底面。

2.如权利要求1所述的功率金属氧化物半导体场效晶体管，其特征在于，所述至少一个沟槽式栅极电性绝缘于所述阱区、所述多个第一掺杂区与所述第一金属层。

3.如权利要求1所述的功率金属氧化物半导体场效晶体管，其特征在于，所述隔离结构将所述第一晶体管与所述第二晶体管之间相邻的所述多个第一掺杂区进行隔离，且将所述第一晶体管的所述第一金属层与所述第二晶体管的所述第一金属层进行隔离。

4.如权利要求3所述的功率金属氧化物半导体场效晶体管，其特征在于，所述隔离结构包括场氧化层与第一介电层中的至少一者。

5.如权利要求1所述的功率金属氧化物半导体场效晶体管，其特征在于，在进行电性测试时，所述第一晶体管与所述第二晶体管之间的电流路径包括在所述阱区与所述基底结构之间的正向偏压。

6.如权利要求1所述的功率金属氧化物半导体场效晶体管，其特征在于，在进行电性测试时，所述第一晶体管与所述第二晶体管之间的电流路径包括在所述阱区与所述基底结构之间的正向偏压与反向偏压。

7.如权利要求1所述的功率金属氧化物半导体场效晶体管，其特征在于，所述第一晶体管的所述阱区与所述第二晶体管的所述阱区之间的距离大于所述基底结构与所述第二金属层的总厚度。

8.如权利要求1所述的功率金属氧化物半导体场效晶体管，其特征在于，所述第一晶体管与所述第二晶体管并联连接。

9.如权利要求1所述的功率金属氧化物半导体场效晶体管，其特征在于，所述第一晶体管与所述第二晶体管彼此对称或非对称。

10.如权利要求1所述的功率金属氧化物半导体场效晶体管，其特征在于，所述基底结构包括硅基底与设置于所述硅基底上的外延层。

11.如权利要求10所述的功率金属氧化物半导体场效晶体管，其特征在于，所述阱区位于所述外延层中。

12.如权利要求10所述的功率金属氧化物半导体场效晶体管，其特征在于，所述第二掺杂区位于所述硅基底中。

13.如权利要求1所述的功率金属氧化物半导体场效晶体管，其特征在于，所述第二掺杂区与所述阱区彼此分离。

14.如权利要求1所述的功率金属氧化物半导体场效晶体管，其特征在于，还包括保护层，其中所述保护层设置于所述第一金属层上。