[发明专利]传输门电路在审

专利信息
申请号: 201710953638.0 申请日: 2012-12-31
公开(公告)号: CN107733405A 公开(公告)日: 2018-02-23
发明(设计)人: 王飞;郑鲲鲲 申请(专利权)人: 意法半导体研发(上海)有限公司
主分类号: H03K17/10 分类号: H03K17/10
代理公司: 北京市金杜律师事务所11256 代理人: 郑立柱,吕世磊
地址: 200241 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 传输 门电路
【权利要求书】:

1.一种传输门电路,包括:

第一晶体管,其耦接在用于接收输入信号的输入节点和用于输出输出信号的输出节点之间;

第二晶体管,用于响应于流经所述第二晶体管的偏置电流而产生用于施加在所述第一晶体管的第一栅极和所述输出节点之间的电压差;以及

放大器,用于比较所述输出信号与参考电压,并响应于所述比较,将所述偏置电流供应给所述第二晶体管。

2.如权利要求1所要求的电路,其中,所述放大器包括:

差分输入级,用于接收所述输出信号和所述参考电压,并根据所述输出信号和所述参考电压之间的差值,在第一输出节点输出第一电流,并在第二输出节点输出第二电流;以及

第一电流镜,用于根据所述所述差值,将所述第二电流镜像到所述第一输出节点,以生成所述偏置电流。

3.如权利要求2所要求的电路,其中,所述差分输入级包括:

第三晶体管和与所述第三晶体管差分耦接的第四晶体管,

其中,所述第三晶体管的第三源极和所述第四晶体管的第四源极耦接在一起,以接收参考电流,所述第三晶体管的第三栅极耦接至所述输出节点,以接收所述输出信号,所述第四晶体管的第四栅极耦接至所述参考电压,所述第三晶体管的第三漏极耦接至所述第一电流镜的第一支路,所述第四晶体管的第四漏极耦接至所述第一电流镜的第二支路。

4.如权利要求2所要求的电路,其中,所述第一电流镜具有第一支路和第二支路,所述第一支路耦接在参考电势线和所述第一输出节点之间,并且所述第二支路耦接在所述参考电势线和所述第二输出节点之间。

5.如权利要求1所要求的电路,进一步包括:

电流源,耦接至所述放大器,并且用于提供参考电流以供给所述放大器。

6.如权利要求1所要求的电路,其中,所述第一晶体管是NMOS晶体管,所述第二晶体管是PMOS晶体管,所述第二晶体管的第二源极耦接至所述放大器,所述第二晶体管的第二栅极耦接至所述输出节点,所述第二晶体管的第二漏极耦接至第一参考电势线。

7.如权利要求1所要求的电路,进一步包括与所述第二晶体管串联耦接的一个或多个晶体管,其中每一个所述一个或多个晶体管分别具有耦接在一起的漏极和栅极。

8.如权利要求1所要求的电路,其中,所述第一晶体管是DMOS晶体管。

9.如权利要求1所要求的电路,进一步包括:

上拉电路,用于提供上拉电流至所述输出节点。

10.如权利要求9所要求的电路,其中,所述上拉电路包括第二电流镜,所述第二电流镜具有第三支路和第四支路,所述第三支路用于接收参考电流,所述第四支路耦接至所述输出节点以提供所述上拉电流,以响应所述参考电流。

11.如权利要求1所要求的电路,还包括施密特触发器电路,所述施密特触发器电路具有耦接至所述第一晶体管的输出节点的输入。

12.一种电路,包括:

第一晶体管,其具有耦接在输入节点和输出节点之间的源极-漏极路径,所述第一晶体管具有第一栅极;

第二晶体管,其具有耦接在偏置节点和参考电源节点之间的源极-漏极路径,所述第二晶体管具有耦接至所述输出节点的第二栅极;

其中所述第一栅极耦接至所述偏置节点;以及

差分放大器,用于将所述输出节点处的电压与参考电压进行比较,并且在所述偏置节点处生成偏置电流,所述偏置电流与所述输出节点处的电压和所述参考电压之间的差值成正比。

13.如权利要求12所要求的电路,还包括二极管接法晶体管,所述二极管接法晶体管与所述第二晶体管串联耦接在所述偏置节点与所述参考电源节点之间。

14.如权利要求12所要求的电路,其中所述参考电源节点是接地。

15.如权利要求12所要求的电路,还包括上拉电路,所述上拉电路耦接至所述输出节点,并且用于响应于所述输入节点处的不定态条件,将所述输出节点处的电压上拉至参考电源电压。

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